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米IBMや台湾の受託製造会社(ファウンドリー)のTSMC、東芝やルネサステクノロジ、富士通マイクロエレクトロニクスなど日本メーカーも32ナノメートルプロセスから一斉に、トランジスタのゲ...
産業技術総合研究所は10日、高純度の半導体単層カーボンナノチューブ(CNT)を使ったトランジスタを開発したと発表した。... CNT薄膜は大面積化が容易なため、低コストで量産できる実用...
試作では、15センチメートル角のプラスチックフィルムにトランジスタを並べた。... 今後は並べるトランジスタの数を増やし、1インチ当たり200ピクセルの高精細で駆動できるディスプレーの開発を目指すほか...
とくに、ハイブリッド車のモーター制御に使われる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)では、日本を含め、複数企業と共同研究を行っている。
富士電機デバイステクノロジーはハイブリッド車(HV)用の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)で、08年度中にトヨタ自動車グループ以外から受注できる見通しを明ら...
だが、今までのように微細化一辺倒ではなく、電荷保持を担うキャパシターとスイッチ用の電界効果トランジスタ(FET)から構成する『記憶セル』を小さくする試みも出始めている。ただ、トランジス...
一時、ガリウムヒ素(GaAS)などの化合物半導体が、シリコンに代わると言われたが、化合物はトランジスタを集積しにくい。一つのチップにトランジスタを10億個も集積できるのは現在のところシ...
ルネサステクノロジはハンディ無線機などの送信電力増幅用に、高周波パワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)「RQA0010」と「RQA0014」を製品化した。
近畿大学理工学部の前田佳伸准教授とタツタ電線の共同研究チームは、トランジスタや三極管の信号増幅機能を、電気信号ではなく光信号だけで行う「光版トランジスタ」を開発した。... 実用的な光版トランジスタ開...
「トランジスタの集積密度は18―24カ月で倍増する」―。... このとき、微細化した回路設計やトランジスタの構造開発などはインテルが手掛ければよいのだが、実際にウエハーに回路を焼き付けてトランジスタを...
「2年でトランジスタの集積度は倍になる」というムーアの法則に基づき回路の微細化が進んできた。... 微細化以外にトランジスタの集積度を増す方法として、複数のチップを積んでいく3次元実装技術などさまざま...
回路を一段と微細化した先端プロセス品ではICチップ内にあるトランジスタの配線に電気伝導率の高い銅配線が必要と判断した。... トランジスタ同士をつなぐ銅配線は、アルミニウム配線と比べて伝導率が高い&#...
他にも資源問題や環境負荷を軽減する有機トランジスタや有機太陽電池などの開発分野でもフラーレンを活用した研究を展開している。
産業用途で高耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を欧州で、スイッチ機能を持つ金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を東南アジアで拡販する。
産業技術総合研究所の酒井滋樹フロンティアデバイスグループ長らは19日、東京大学の竹内健准教授と共同で、NANDフラッシュメモリーの性能を高める新しいトランジスタを開発したと発表した。... 開発した素...
