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シリコンのほか、炭化ケイ素(SiC)とサファイアのレーザー切断技術も確立している。

排ガス浄化技術は、一酸化炭素(CO)、炭化水素(HC)、NOX、粒子状物質(PM)などを分解無害化する触媒反応をいかに上手に利用するかにかかっている。

3年ほど前に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などを用いた次世代パワー半導体向けウエハー研磨事業を立ち上げた。

三菱電機は電力損失の少ない大容量炭化ケイ素(SiC)パワーモジュールを採用した鉄道車両用補助電源装置(写真)を開発し、東京メトロの銀座線新型車両に納入した。

炭化ケイ素(SiC)パワー半導体や発光ダイオード(LED)基板などを製造する際の超高温プロセスの制御に向く温度センサーとして拡販する。

プラズマCVDは、従来は1000度C前後で行っていた炭化ケイ素やアルミナなど固体を取り出す「析出」を、200―300度Cに引き下げられる。

半導体各社が回路を焼き付けるウエハーに「SiC(炭化ケイ素)」素材を採用したパワー半導体を強化する。

シリコン基板を採用しており、基板自体をGaNでつくる技術や炭化ケイ素(SiC)基板、サファイア基板の各採用品に比べて低コスト化が可能だ。

炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の一部工程も担っていた。

同システムの触媒の性能が低下した原因の一つとして未燃の炭化水素(HC)が付着する「HC被毒」と特定。

パワー半導体トップの座を維持するため、「省エネルギーの切り札」とされるSiC(炭化ケイ素)製半導体の事業展開を急ぐ。

日本メーカーは大口径化で後塵(こうじん)を拝すが、炭化ケイ素(SiC)などの新材料を使った次世代品で存在感を高める。

エネルギー分野では文部科学省の知的クラスター創成事業で取り組んだ「京都環境ナノクラスター」事業の成果を踏まえ、節電・創電・蓄電に関する炭化ケイ素(SiC)や電池関連部材・電極材料、二酸...

▽マイサ(福岡市博多区)=吹力発電で発光する緊急時用ホイッスルの開発▽炭化(佐賀県鹿島市)=セラミック炭と触媒によるエチレンガスの吸着・分解の研究開発▽...

ディスクの両摩擦面には硬い素材である炭化ケイ素を浸透させることでブレーキの制動力を高め、表面を磨き、美しい鏡面に仕上げた。

産業技術総合研究所と連携し、現在の主流である炭化タングステンとコバルトの合金の代わりに、鉄とアルミニウムの金型用合金を開発中だ。

超硬合金を使った金型素材の製造工程ではまず、炭化タングステンやコバルトなどの粉末を混合する。

炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体の搭載で変換効率98%の商品も開発中。

発光ダイオード(LED)や炭化ケイ素(SiC)半導体などの製造プロセスでの採用を見込む。

炭化ケイ素(SiC)研究の松波弘之京都大学名誉教授ら大学の研究者、ロームや三菱電機など企業が技術革新や実用化展開などについて講演する。

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