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【神戸】トーカロは炭化ケイ素(SiC)の表面にアルミナ、ムライト、イットリアなどを皮膜した部材「セラミックコーティング炭化ケイ素部材」を開発した。
日本では三菱電機が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールで高シェアを誇るほか、ロームが次世代品とされる炭化ケイ素(SiC)製の製品開発を加速している。
三菱電機は1200ボルト・1200アンぺアと世界最大容量で動作する炭化ケイ素(SiC)を使ったパワー半導体モジュールを開発した。
三菱電機は6日、パワー半導体用の4インチ角の炭化ケイ素(SiC)インゴットをウエハーにする際、放電加工で40枚同時にスライス切断する技術を開発したと発表した。
だが近年は炭化ケイ素(SiC)基板が登場するなど、既存のダイシング装置では切れない材料が出始めたことで、市場性が高まっている」 ―製品の特徴は。
現在のパワー半導体はシリコンデバイスが中心だが、炭化ケイ素や窒化ガリウムを使った次世代パワー半導体は、電流密度を高めるため、さらに高温での動作が要求される。
この手法を使うことで、合成ダイヤモンドの最適硬度である100ギガパスカル(ギガは10億)を超える硬度と1294度Cという高い酸化温度、市販の超硬炭化タングステンを大きく上回る高い靱性&...
ブリヂストンは電力制御用半導体(パワー半導体)の素材である炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハーの開発から撤退した。... 高純度炭化ケイ素焼結体「ピュアベータ」を製造、半...
【名古屋】中部電力は5月から韓国の韓国ガス公社(城南市)と共同で、イタリアのイタリア炭化水素公社(ローマ市)から液化天然ガス(LNG)を購入する。......
