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三菱電機は1200ボルト・1200アンぺアと世界最大容量で動作する炭化ケイ素(SiC)を使ったパワー半導体モジュールを開発した。
三菱電機は6日、パワー半導体用の4インチ角の炭化ケイ素(SiC)インゴットをウエハーにする際、放電加工で40枚同時にスライス切断する技術を開発したと発表した。
だが近年は炭化ケイ素(SiC)基板が登場するなど、既存のダイシング装置では切れない材料が出始めたことで、市場性が高まっている」 ―製品の特徴は。
現在のパワー半導体はシリコンデバイスが中心だが、炭化ケイ素や窒化ガリウムを使った次世代パワー半導体は、電流密度を高めるため、さらに高温での動作が要求される。
この手法を使うことで、合成ダイヤモンドの最適硬度である100ギガパスカル(ギガは10億)を超える硬度と1294度Cという高い酸化温度、市販の超硬炭化タングステンを大きく上回る高い靱性&...
ブリヂストンは電力制御用半導体(パワー半導体)の素材である炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハーの開発から撤退した。... 高純度炭化ケイ素焼結体「ピュアベータ」を製造、半...
【名古屋】中部電力は5月から韓国の韓国ガス公社(城南市)と共同で、イタリアのイタリア炭化水素公社(ローマ市)から液化天然ガス(LNG)を購入する。......
「溶融塩電池やレドックスフロー電池といった蓄電池、炭化ケイ素(SiC)を材料とするパワー半導体の研究開発も盛んにやっている。
本賞10点には、シャープ、富士通のほか、アイダエンジニアリングのサーボトランスファープレス、オークマのファイブチューニング機能を搭載した5軸制御立形マシニングセンタ、島津製作所のトリプル四重極型ガスク...
《ローム》“フルSiC”パワーモジュール−電力変換時の損失低減、機器小型化・部品数減 世界で初めてダイオードとトランジスタの両方に炭化ケイ素(SiC)材料を適応したパ...
理化学研究所の片平和俊専任研究員、慶応義塾大学の小茂鳥潤教授と日進工具は、高純度炭化ケイ素(SiC)を高精度に微細加工する技術を開発した。
今年4月には、下水汚泥を約300度Cの熱で炭化し、直径5ミリ―10ミリメートル、長さ15ミリメートル程度のペレット状に加工した炭化燃料を追加。... 【三つを最適化】 最大の特徴は、...
