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記事検索結果
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新機種は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗のように、大きな電圧波形の中の小さな変化を測定するのに適している。
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)でトレンチ(溝)構造のパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を6月に開始する。... パワ...
【京都】ロームはエアコンなどのインバーター制御に適したパワー半導体モジュールを開発した。... 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「...
炭化ケイ素(SiC)による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の制御、駆動に特化したもので、2016年春ごろまでに量産。
東芝はパワー半導体事業の再成長に取り組んでいる。... パワー半導体戦略のポイントは大きく二つある。... トランジスタに深い溝を掘るディープトレンチ型で高効率を実現した金属酸化膜半導体電界効果トラン...
富士電機のパワー半導体事業が成長軌道に入った。... 高耐久・大電流対応の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を主力に、特に産業機器市場での拡販に成功した。... 15年度も第...
業界に先駆け炭化ケイ素(SiC)半導体の量産を始めたロームだが、従来のシリコンでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
広島大学HiSIM研究センターは、国際標準に選定されたトランジスタのコンパクトモデル「HiSIM―SOTB(広島大学STARC IGFETモデル―シリコン オン スィン...
また、ロームはSiC採用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、素子の縦方向にゲートを構成する「トレンチ型」の製品の量産を15年前半に始める。... 課題解決には、量...
【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
半導体業界を取材する日本人ジャーナリストは「日本の半導体メーカーは、ここまで厳しくない」と証言する。 ... 現状、同ラインでは一部の白物家電向けと産業機器向けのパワーMOSFET&...
まず、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)モジュールを商品化。その後、汎用インバーター分野では一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)をトランジスタ部とダイオード部の両方に採用し電力損失を抑えたパワー半導体を開発し、発売すると16日発表した。... 三菱電機が開発したパワー半導体は製品名...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)を使った世界最大サイズの1平方センチメートル大のパワー半導体トランジスタを開発した。... 開発したのはSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...
三菱電機はエアコンのインバーター駆動用パワー半導体モジュールで、低消費電力を特徴とする新製品(写真)を8月23日に発売する。SJ―MOSFET(スーパージャンクション金属酸化膜...
ロームは高速スイッチング性能と低電流から大電流までの省エネルギー特性を兼ね備えたトランジスタ「ハイブリッドMOS」を完成した。スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―...
インバーターなどの電力変換器で従来のシリコン製パワー半導体すべてを置き換えると、国内だけで原発4基分の省エネ効果と試算される。... (京都・小林広幸) &...
モジュール内蔵素子をSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のみで構成。すでに同社が量産するSiC製ダイオードとトランジスタを組み合わせたパワーモジュールに比べて...
