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三菱電、炭化ケイ素パワー半導体に135億円を投資（2010/1/13）

電力損失の少ないSiCはシリコンに代わるパワー半導体材料として有力。... 【用語】SiCパワー半導体=SiCはシリコンと比べて絶縁破壊に至る電界強度が約10倍、熱伝導率が2―3倍。... S...

【川越】秩父電子(埼玉県秩父市、強谷隆彦社長、0494・22・5955)は、2月末をめどに炭化ケイ素(SiC)ウエハーの平たん度を高める研磨技術を確立し、4月にも同ウエ...

レーザーテック、SiCウエハー向け欠陥検査装置発売（2009/12/7）

【横浜】レーザーテックは炭化ケイ素(SiC)ウエハー向けの欠陥検査装置「WASAVIシリーズ SICA61=写真」を発売した。... これにより、コントラストの高い明瞭...

半導体製造装置大手、相次ぎ成長分野参入（2009/12/2）

SiCウエハー上に結晶膜を堆積(たいせき)成長させる化学気相成長(CVD)装置。... アドバンテストはテスター、ウエハー搬送、プローブカードを一体化したNANDフラッ...

エイディーディー、窒素ガス循環式チラーに参入（2009/10/30）

窒素ガス循環式チラーを半導体ウエハーや電子部品などの冷却用に販売し、初年度6000万円の売り上げを目指す。 ... 炭化ケイ素(SiC)ウエハーの製造工程では、温度特性評価を行...

グリーンデバイス最前線/第1部・エコカー協奏と競争(2) （2009/10/21）

【電界強度は10倍】中でも自動車メーカーが期待を寄せるのがSiCと呼ばれるシリコンに代わる新素材。... SiCパワー半導体モジュールで世界初投入を目指すのがローム。... シリコンウエハー...

日本インター、SiC―SBDを本格生産−比子会社のライン稼働（2009/4/16）

【厚木】日本インターは次世代半導体材料の炭化ケイ素(SiC)を利用したショットキーバリアーダイオード(SiC―SBD)の本格生産に乗り出す。... SiCウエハーは、日...

炭素材料「グラフェン」研究、世界で大ブーム（2008/12/1）

SiC基板を加熱してエピタキシャル成長したグラフェンはデバイス集積に適する。... 【応用研究にも力】 SiCウエハーは高価で、現状は1センチメートル角の基板に直径約8ミリメートルのグラフェン...