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記事検索結果
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「これまでは微細化や増産により製造コストを毎年50―60%下げていたが、開発や製造コストがかさむことで、10―13年は25―35%にとどまる見込みだ。... 【記者の目/次世...
結晶粒微細化技術「CREO」と塑性加工技術「ALBA」から成る。金属を微細化することで強度向上が図れ、材料の使用量も削減できる。... 古くからさまざまな微細化プロセスが試されてきたが、高コスト、金型...
SRAMの小型化は高速で低消費電力のプロセッサー開発につながる。... 22ナノメートル世代以降の微細LSIで有望とされる。 ... フィン型にすることで不純物の添加が不要になり、微細化により...
NECエレクトロニクスとNECは、LSIの微細化で生じる素子の特性がバラつく現象が、回路動作にどう影響するかを正確に測るシミュレーション手法を開発した。素子特性のバラつきは微細LSIが解決すべき課題の...
「微細化と大口径化の研究開発を並行すると、開発費が膨大になり、人材も不足する」―。... 半導体は現在、チップ上の回路線幅が45ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスまで微細化した...
グローバル化が進んだ今、開発は優れた技術を外から集め、独自技術と組み合わせるというのが世界の共通認識だ。... 半導体技術は2022年に微細化の限界に達すると予測され、その先のビジョンとして分子デバイ...
同32ナノメートルプロセスを採用した次世代半導体は2010年にも実用化される見通し。シリコンウエハー上に回路を形成する製造前工程装置の出荷が始まることで、次世代の先端半導体の量産開発が本格化する。...
回路の微細化のほか回路の積層化やパッケージの先端技術を駆使して製品に高付加価値化、コスト削減を推進する。... そのためにも微細化投資を緩める訳にはいかない。 ... DRAMの採算性確保には...
これにより解像度を高め、シリコンウエハー上に形成する回路線幅の微細化を推進する。 ニコンは09年10―12月期に回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)世代半導体製造用に...
半導体回路は微細化が進み、2010年には回路線幅32ナノメートル、2013年には同20ナノメートル台のプロセスを採用した次世代半導体が実用化される見通し。32ナノメートルまでは現行のフッ化アルゴン...
産業技術総合研究所はナノメートル(ナノは10億分の1)寸法の微細なすき間「ナノギャップ」で抵抗値が変化することを利用したナノギャップ不揮発性メモリーの新構造を開発した。... 次世代メ...
東京工業大学大学院総合理工学研究科の角嶋邦之助教、フロンティア研究センターの岩井洋教授らは、高密度集積回路(LSI)微細化の障害となっていたゲート絶縁膜の薄膜化に成功した。... ドレ...
09年3月期に減収減益を見込む厳しい経営状況の中、軽量化で需要を掘り起こす。 ... 鋳造後の金属組織を微細化して強度を高めながら薄肉化する。15インチのホイールの場合、2キログラム軽量化して...
配線の微細化で設計が複雑化するなか、配線基板の開発期間を半分以下に減らせる見込み。... パソコンや携帯電話などの高機能、小型化の流れで配線基板の薄型要求が高まり、配線膜は現在10マイクロ―20マイク...
更に、少子高齢化によって、日本の若者はどんどんと減少している。... 年々、製造業を支える技術は複雑化・微細化しており、オンナの活躍できるフィールドはいたるところにありそうだ。 ... これが...
台湾のTSMCが行う微細化や450ミリメートルウエハーへの移行には付いていけない。... 海外はファウンドリー、ファブレス、ワイヤレス特化企業など投資のバリエーションが広い」 ―製造装置は世界...