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記事検索結果
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製品組み立て(セット)メーカーは新しいプロセス(微細化技術)を望む。... 「一昔前はプロセスで差異化できた。... 10ナノメートルまでは微細化すると見る。
その研究所内でシステムLSI開発研究所やシリコンテクノロジ開発研究所、ナノテクノロジー研究センターなどが半導体に携わり、回路を微細化する先端プロセス開発やカーボンナノチューブの配線への応用、量子ドット...
次世代LSIではゲート電極を従来の多結晶シリコンから金属材料に、絶縁膜はシリコン酸化膜から高誘電率の絶縁膜に置き換えることで微細化を進め、性能を引き出す工夫が求められている。 ... CMOS...
半導体の研究開発は過去40年にわたって回路の微細化を軸に進み、技術的には同10ナノメートルを切るトランジスタも形成できる。... 最近では物理法則からムーアの法則の限界も指摘されているが、それ以上に、...
同社の藤田康彦セミコンダクター社統括技師長に回路の微細化などについて聞いた。 ... 一段と微細化した次世代半導体は、液浸での2回露光(ダブルパターニング)で製造するが、光源に...
半導体業界は2年ごとに回路を微細化しトランジスタの集積度を高めてきたが、2010年に実用化する32ナノメートル以降、20ナノメートル世代では3次元構造の採用など微細化以外の道を探ることになる。 ...
微細化の進展で、集積するトランジスタ間の距離が短くなると素子性能が変動する課題に対し、変動量をあらかじめ予測して作り込むことで集積度を約30%高める。... 従来法で65ナノメートル世代から4...
LSI微細化の進展で、スパコンの消費電力は近い将来、10メガワット(メガは100万)級にも達するとみられており、省電力化のキー技術として期待されそうだ。
画像処理用LSIや受託生産方式のカスタマー・オウンド・ツーリング(COT)などに強みを持つほか、回路を微細化した先端プロセス開発にも取り組んでいる。... 回路線幅45ナノメートル、さ...
半導体メーカー各社は、2010年の実用化を見込む回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した次世代半導体に、電力消費を効率化する金属材料を採用する。... これによ...
半導体チップ上に形成する回路の線幅は、45ナノメートル(ナノは10億分の1)が現状で最も微細化された先端プロセスとなっている。... ダブルパターニングでは、回路パターンを二つに分割す...
画像処理にますます使われる」 ―微細化が進むSoCでは、東芝と回路線幅32ナノメートルの次世代半導体の共同開発に合意しました。 ... 各種制御用マイコンと情報系SoCを連携するため、...
これまでの高圧乳化装置は素材に高圧をかけて一気に圧力を開放し、1工程で微細化する方法が一般的。... それに対して美粒の技術は、装置内で減圧・微細化の工程を段階的に行い、粒径50ナノ(ナノは1...
近年、電子部品の配線の微細化が進み、基板内蔵キャパシターの需要が高まっていることに対応する。... 基板面積の縮小や製造工程を簡略化できるため、実装コストを低減できる。 ... 今後、日本でも...
設置スペースが1・65メートル角と省スペース化した。 HDI基板の微細化、高集積化が進み、高速・高精度な検査機のニーズが高まっている。
半導体分野では回路の微細化はもちろん、スーパーコンピューター(スパコン)用LSIや新材料・次世代メモリーの開発など数々のプロジェクトが進められている。... 「微細化は必要。回路線幅3...
回路線幅30ナノメートル台前半まで微細化したNANDフラッシュは、需要動向と採算を考慮しながら、量産を始め、09年度中にその比率を50%程度に高める。... 東芝はNANDフラッシュの回路線幅...
電子部品の小型化の進行に伴い、材料の微細化が求められていることに対応する。... 同社が持つ高純度化技術を生かし、電子部品の性能に悪影響を及ぼす鉄、ナトリウムなど不純物の含有量を削減した。
