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記事検索結果
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研究グループは、非磁性絶縁体として知られるペロブスカイト型のランタンコバルト酸化物薄膜の磁性を調べ、その結晶構造を高エネ機構のフォトンファクトリーを使って放射光X線回折し、さらに赤外分光を用いて解析し...
バイポーラ・トランジスタに比べ、使用素子を減らせるため故障しにくい絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を採用した。 ... 構造材や絶縁樹脂などは現地化を...
インドネシアの生産子会社ではこのほど生産能力を2倍に増やし、同国で初となる超高圧用500キロボルト級のガス絶縁開閉装置(GIS)などを新たに生産する。
鉄にホウ素を添加した磁石材料を超薄膜化し、酸化マグネシウムの絶縁層2層で挟み込んだ積層構造に電圧を加えることで生じる磁気異方性の変化量を、従来よりも約3倍高効率化した。... ナノスピントロニクス研究...
しかし、水晶は580度C付近で圧電性がほとんど失われるため、300度Cまでが使用限界であり、ランガサイト型結晶は400度Cで絶縁性が失われ、センサー能力が低下することが問題となっていた。 &#...
独自開発した最先端の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を初めて搭載し、白物家電向けでは業界トップクラスの低消費電力を実現した。
同社は独自の絶縁技術や冷却装置を小型にする工夫で変換器を排除し、国内では初めて直接高圧母線に電力を供給するダイレクトオンライン方式を実現した。
同社製はトランスが内蔵された高周波絶縁方式を採用しているのが特徴で、別途外部に商用トランスを設置する必要がないため、設置費用を抑えられる。
現在の生産体制は日立の臨海工場(茨城県日立市)で高圧IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を、原町電子の原町工場(福島県南相馬市)でトランジスタ関...
入沢寿史連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター特定集中研究専門員らは、ゲルマニウムのp型MOS電界効果トランジスタ(FET)とインジウム・ガリウム・ヒ素のn型MOSFETを、...
生産子会社の日立パワーシステムズインドネシア(HPSI、西ジャワ州チカラン地区)で新設ラインを立ち上げ、同国で初となる超高圧用500キロボルト級のガス絶縁開閉装置(GIS...
