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ローム、オン抵抗20%低減 スーパージャンクションMOSFET (2022/3/18 電機・電子部品・情報・通信)

600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...

活況!半導体露光装置(下)ニコン 中古i線装置、販売好調 (2022/3/17 電機・電子部品・情報・通信)

(ASMLが供給を独占する)極端紫外線(EUV)の導入が進んでいるが、3次元NAND型フラッシュメモリーや相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーは今...

米大、半導体式LiDAR開発 MEMS集積で低コスト (2022/3/16 科学技術・大学)

相補型金属酸化膜半導体(CMOS)製造技術を使えば安価にライダーが製造できる見通しという。

活況!半導体露光装置(中)ASMLジャパン、最先端EUVの開発継続 (2022/3/16 電機・電子部品・情報・通信)

日本の強みは先端のメモリー、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーだけでなく、レガシープロダクトを量産しているプレーヤーが多くいるということだ」 ―同市場...

強みである車載用の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーの性能を評価し、実用化に向けた準備を着実に整えてきた。

ロームは8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発する。

台湾ITRIと米USC、次世代半導体研究で提携 (2022/3/1 科学技術・大学)

ITRIが人工知能(AI)などへの応用を狙い、先端半導体の研究開発に力を入れる一方、USCでは半導体チップの試作・少量生産を支援する金属酸化膜半導体実装サービス(MOSIS&#...

n型半導体の酸化物半導体「IGZO」と薄膜トランジスタ(TFT)を作製し、高い特性を得た。 ... このp型半導体とIGZOでTFTを構成し、相補型金属酸化...

前後のカメラに高感度CMOS(相補型金属酸化膜半導体)センサー「STARVIS(スタービス)」を採用。

キヤノン、「EOS R5 C」3月投入 8K・RAW撮影対応 (2022/1/20 電機・電子部品・情報・通信1)

有効画素数約4500万画素フルサイズ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーと映像エンジン「DIGIC X」を搭載。

ソニーグループは車載用の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを開発しています。

デジカメ“映え”技術競う、世界出荷額が昨年2ケタ増 (2022/1/12 電機・電子部品・情報・通信2)

キヤノンが21年11月に投入した高級ミラーレス一眼「EOS R3」は、フルサイズ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーをEOSシリーズで初めて搭載。

シリコン系ではスプリットゲートという特性の高いMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)や、FS―IGBT(フィールドストップ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...

JUKI、外観検査機事業に参入 高速、車・医療部品向け (2021/12/29 機械・ロボット・航空機)

1200万画素ハイフレームレートのCMOS(相補型金属酸化膜半導体)カメラを搭載する。... 自動車や医療機器などで使用する金属部品の不良を高速・高精度に検査可能だ。

半導体装置、生産性向上・微細化に商機 5G・IoT追い風 (2021/12/21 電機・電子部品・情報・通信1)

アドバンテストは、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーのテスト(検査)用で業界最速の画像処理エンジン「T2000・IPエンジン4」を紹介した。

微弱な蛍光で高精細撮影 オリンパス、顕微鏡用デジカメ投入 (2021/11/16 素材・医療・ヘルスケア1)

640万画素の高解像な背面照射型高感度相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーで、微弱な蛍光も感度よく捉える。

オムロン、3DX線装置投入 基板検査速度5割向上 (2021/11/11 電機・電子部品・情報・通信1)

自動車業界など向けでニーズが高まる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などのパワーデバイス検査に適するロジ...

キヤノンは平塚事業所(神奈川県平塚市)の敷地の一部を活用し、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの製造棟を新設する。

新開発の積層型相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーと画像処理エンジン「EXPEED7」で高いオートフォーカス(AF)性能を実現。

東芝、ドライバーICワンチップ化 次世代パワー半導体制御 (2021/11/1 電機・電子部品・情報・通信)

1・2キロボルトのSiC―金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で実証した。

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