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記事検索結果
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山形大学有機エレクトロニクス研究センターの時任静士(ときとう・しずお)副センター長らは4日、携帯電話などの基本回路素子である相補型金属酸化膜半導体(CMOS)と同程度の...
高濃度のリン不純物を添加したn型ダイヤモンド半導体を、特定の位置を選んで結晶成長させることなどで実現した。... 研究では従来のマイクロ波を使って薄膜を形成する技術と、高濃度のリン不純物を添加したn型...
筑波大学の末益崇教授らの研究グループは、バリウムシリサイドという半導体材料で、p型不純物を高濃度にドープした「p+層」を製膜することに成功した。... 分子線エピタキシャル成長(MBE...
また、p型とn型のシリコンをどう作り分けて、どう配置するかという問題もある。... 米ローレンス・バークレー国立研究所が、p型シリコンの周りをn型シリコンで覆う鞘(さや)のような構成で...
これは、p型ゲルマニウムを使ったスピントランジスタの開発が可能なことを表しているという。 p型ゲルマニウムはシリコンの4倍を超えるキャリア移動度をもち、高速動作が可能な次世代トランジ...
開発した半導体化合物は、n型半導体の性質を示す有機化合物「ペリレンテトラカルボン酸ジイミド」に、シリコンゴムに使われている「オリゴシロキサン」を結合したもの。 ... 代表的なn型有...
横河電機の、製造装置を制御するC言語コントローラー「e―RT3」のうち、「F3RP*―3P」型に対応した。
濃度別に電流を測定した結果、濃度がゼロと400ppmの時はエネルギー活性領域がモリブデン酸化物層に近いn型の、600ppmの時は活性領域が広い絶縁体類似型の、1100ppm、4300ppmの時は活性領...
最近は、カーボンナノチューブと分子で究極のナノデバイスの作製に成功し、また、n型トランジスタとp型トランジスタのかわりに単電子トランジスタスイッチを使った「CMOS型単電子インバータ」も実証した。&#...
今回、リチウムとマンガンの含有量を少しずつ変えた試料を作製し、リチウムが過剰な場合においてリチウム・亜鉛・マンガン・ヒ素の化合物が強磁性となり、p型半導体になることを見いだした。
メルクのp型半導体材料と、ナノシーのn型半導体材料を組み合わせ、電力変換効率10%以上の次世代材料の開発を目指す。 また、今回の協業に伴い、メルクは年内にもナノシーのn型半導体材料であ...
従来のゲート電極に付加する金属フィールドプレートをp型GaN薄膜に置き換えることで、高電圧下でチャネル抵抗が増加する電流コラプス現象を抑制した。... ゲート電極部に従来の金属プレートの代わりにp型G...
n型とp型のフラーレンを使って太陽電池セルを試作したところ変換効率は1%だった。シリコン太陽電池はp型とn型の半導体を接合し接合部で発生する電位差を利用して電気エネルギーを取り出している。ドー...
さらにホウ素とリンを含む材料を使ってp型とn型のアモルファスシリコン膜が作製できることを確認し、太陽電池セルの試作に成功した。
そこでシリコン基板の表面近くにP型層を形成した「耐圧ブースト構造」を開発し、高耐圧化を達成した。 ... 新構造では反転層の近くに選択的にイオンを注入してP型層を形成し、電子を閉じ込めることに...
今回SMTでナノワイヤトランジスタを試作したところ、n型トランジスタのオン電流が1・5倍以上になった。n型とp型を作り込んだ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)にしても、オン電流は30&...
高温側が低電位になるp型と逆に高電位になるn型だ。乾電池のようにp型とn型を交互に接続して高い電力を取り出す。舟橋氏が開発したコバルト系はp型。
本来、ホール(正孔)を多く持つ「p型半導体」になりづらい酸化亜鉛だが、ホールの濃度を高める手段を確立し、さらなる高輝度化を図っている。 ... パナソニックは活発な需...
