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記事検索結果
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従来のn型有機半導体の2―5倍の大きなバンドギャップを持つことも確認した。... さらにその膜が、従来のn型有機半導体の2―5倍の大きなバンドギャップを持つことも分かった。 現在検討...
九州大学の浜屋宏平准教授は9日、ゲルマニウムを相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタに応用するための電極形成技術を開発したと発表した。ゲルマニウムと金属を接合した界面部分を原子...
濃度別に電流を測定した結果、濃度がゼロと400ppmの時はエネルギー活性領域がモリブデン酸化物層に近いn型の、600ppmの時は活性領域が広い絶縁体類似型の、1100ppm、4300ppmの時は活性領...
最近は、カーボンナノチューブと分子で究極のナノデバイスの作製に成功し、また、n型トランジスタとp型トランジスタのかわりに単電子トランジスタスイッチを使った「CMOS型単電子インバータ」も実証した。&#...
メルクのp型半導体材料と、ナノシーのn型半導体材料を組み合わせ、電力変換効率10%以上の次世代材料の開発を目指す。 また、今回の協業に伴い、メルクは年内にもナノシーのn型半導体材料であ...
n型とp型のフラーレンを使って太陽電池セルを試作したところ変換効率は1%だった。シリコン太陽電池はp型とn型の半導体を接合し接合部で発生する電位差を利用して電気エネルギーを取り出している。ドー...
富士通の地域医療連携のパッケージをベースとして、複数の中核病院や診療所が共通の電子カルテを情報共有できるN対N型の地域医療連携システムとして構築した。
さらにホウ素とリンを含む材料を使ってp型とn型のアモルファスシリコン膜が作製できることを確認し、太陽電池セルの試作に成功した。
今回SMTでナノワイヤトランジスタを試作したところ、n型トランジスタのオン電流が1・5倍以上になった。n型とp型を作り込んだ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)にしても、オン電流は30&...
高温側が低電位になるp型と逆に高電位になるn型だ。乾電池のようにp型とn型を交互に接続して高い電力を取り出す。... 高性能なn型材料の出現にも期待がかかる。
物質・材料研究機構は15日、直径20ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細なゲルマニウム製のナノワイヤにおいて、デバイス作製に必須なp型とn型を作り込むための評価手法を確立したと...
この技術でシリコン基板上にIII―V―OIを作り、基板上にn型金属酸化膜半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)を作製し、シリコンnMOSFET比約5倍の電子移動...
p型(電荷を運ぶキャリアが正孔)、i型(不純物を含まない真性半導体)、n型(キャリアが自由電子)のガリ・ヒ素を組み合わせたヘテロ(異種)...
その中で新宮原教授は今後、1本のナノワイヤをp型、n型の2種類の半導体で構成する「コアシェル型pn接合ナノワイヤ」の開発に力を入れる。
一酸化スズを使い、酸化物半導体の電気伝導性をp型からn型に変化させることに成功した。... 今回この一酸化スズに不純物を添加することで、p型からn型に制御できることを発見し、一酸化スズ製のpn接合ダイ...
p型シリコンの円柱のまわりにn型シリコンを鞘のように配置した形状。現在の薄膜型の太陽電池に比べてシリコンの使用量が少なくて済む上、電子やホール(正孔)の移動距離が短く、これら電荷担体の...
ゼーベック効果が大きい、すなわち少しの温度差で高い電圧を発生させる物質が熱電材料であり、高温側が高電位(プラス極)になるn型と、逆に低電位(マイナス極)になるp型の2種...
