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第37回環境賞(1) (2010/5/20)

その解決策として、セラミックスの一種で、高耐熱性、高腐食性かつ構成元素が半導体に無害の炭化ケイ素(SiC)材料に期待が集まっている。

炭化時に発生する乾留ガスから運転に必要な熱エネルギーを回収して効率を高めた。... バイオマスをロータリー式乾燥炉に投入し、次にロータリー式炭化炉で炭にする。炭化炉に設けた管から排出した乾留ガスを炉を...

自動車向けをはじめとする炭化ケイ素(SiC)パワー半導体開発で、デファクト・スタンダード(事実上の標準)を握る組織となる。

この回路に炭化ケイ素(SiC)製や窒化ガリウム(GaN)製半導体などの採用を検討。

パナソニックはポリイミドフィルムを炭化した上で圧縮してグラファイトを製造する高分子グラファイト化法を独自開発した。炭化水素ガスで結晶を成長させる炭化水素ガス堆積法より、均一な特性が得られるのが特徴とい...

短時間、省エネルギーで炭化ケイ素を合成する技術はそのうちの一つ。

素材に炭化水素樹脂を使用。

【京都】ロームは10日、炭化ケイ素(SiC)製のパワー半導体とショットキーバリアダイオード(SiC―SBD)「SCS110Aシリーズ」の量産を4月下旬に始めたと発表した...

ソフタンはタオルやジーンズ生地などの木綿素材を、特殊な釜を使って蒸し焼きにし、炭化したもの。... 商品は人肌に直接触れるため、炭化した生地を不織布で保護している。

スパッタリングやエッチングなど現在の半導体製造工程と共通する加工技術を使い、モノリシック(1枚基板)の炭化チタン・炭素薄膜を作製。

現行のシリコンより省電力で制御に優れるSiC(炭化ケイ素)の量産を来春始める。

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を中心にパワー半導体の生産を増やすほか、炭化ケイ素(SiC)を活用した低損失次世代パワー半導体も製品化する。

大阪大学の菅沼克昭教授らはマイナス50度Cから300度Cまでの温度サイクルに耐えられる炭化ケイ素のダイアタッチ用材料を開発した。今後、市場が拡大する炭化ケイ素や窒化ガリウムなど次世代半導体素子の実用化...

高温を加えて炭化する時、細かいほど汚泥の内部まで確実に炭化できるからだ。... このガスを炭化炉から取り出すと同時に発火、燃焼させて炭化炉を高温にする。いったん炭化が始まれば汚泥由来ガスで炭化を続ける...

具体的な成果報告としては「草本資源を利活用した次世代ゼロエミ燃料による低炭素社会への実証モデル」(北海道下川町)、「燃える一般廃棄物の炭化加工による低コスト・低炭素型地域社会の構築」&...

化粧崩れしにくい「ビューティーキープパウダー」は、土台となる絹雲母の表面を水分を抱え込む性質を持つ親水基と、撥油効果のある炭化フッ素で覆った。

炭化ケイ素(SiC)製のフィルターは引き続きイビデンが供給するが、設計の自由度が高まることでさまざまな製品サイズに対応可能になるという。

具体的には、鋼の結晶中に生じる炭化物の成長を抑えることや、異なる合金を結晶中に混合させる固溶強化などを行い、靭性と高温強度のトレードオフを解消した。

例えば炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の実用化にはインゴット、ウエハー、デバイス、システムまで、材料、加工、装置、ユーザーとなる自動車や重電などのメーカーが集まって開発する。

木を熱で炭と炭化水素ガスに分解し、ガスから触媒気相成長法でナノカーボンを作る。

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