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記事検索結果
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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や炭化ケイ素(SiC)の車載用パワーモジュールの世界市場は、25年まで年率20%で拡大が見込まれている。
AI処理に必要な積和演算に縦型の強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を利用する。... 縦型FeFETに電圧を入力すると、トランジスタの抵抗の逆数を掛けた電流値が得られる。
ノベルクリスタルテクノロジー(埼玉県狭山市、倉又朗人社長)は、酸化ガリウム反転型ダブルインプランティド金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタを試作した。... トランジ...
ダイヤモンド半導体(用語参照)はp型と呼ばれるホール(正孔)が流れるトランジスタを作れる。... 片方のトランジスタで構成する回路では、短絡を防ぐためにオンオフを切り替...
通信機器のトランジスタを高出力・高周波化し、データ伝送量を増やせる。... この結果、高誘電材料によるN極性結晶のトランジスタで良好な高周波特性を達成した。 GaNトランジ...
2ナノメートル配線に対応した配線材料の変化(コバルト、イリジウムなど)、既にスタートしている次世代トランジスタGAA(ゲートオールアラウンド)、そして微細化鈍化をカバー...
25年度後半に量産を始める「TED―MOS」は、日立の独自構造を持つ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。
光リソグラフィー手法により、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ウエハーに約1000個のトランジスタからなる100マイクロ×60マイクロメートルのクロック回路と太陽電池を作製。
糖尿病患者の血糖値を常時測定する高性能な測定器や、電動車のエネルギー効率向上に貢献するパワー半導体の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)向けの温度センサーとして需要が増えている...
前工程はトランジスタの集積度が約2年で倍増するという「ムーアの法則」に代表される標準化された技術ロードマップが存在し、開発するべき基本的な技術を世界中で共有できている。
現状、EVインバーター向けなどのシリコン(Si)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やエアコンDCモーター駆動用「高圧IC」の需要が高まっており、生産能力が不足...
ルネサスエレクトロニクスは30日、電動車用インバーター向けパワー半導体として、シリコン(Si)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)新製品&#...
印刷可能な有機半導体を中心に有機トランジスタを構成する各材料をトータルで開発している。... ―有機トランジスタの用途や特徴は。 ... 「東ソーは材料開発力が高い一方、有...
コネクターやトランジスタ、集積回路(IC)などの汎用品不足への対処としては、コストアップにはつながるものの、普段取引のない商流からも同じ部品を納入してもらえるように開拓を進めた。...
スイスのSTマイクロエレクトロニクスは、窒化ガリウム(GaN)製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載した電源機器用集積回路(IC&#...
デバイス開発も「要素技術のめどはついている」(倉又社長)とし、ダイオードやトランジスタを製品化予定だ。
