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記事検索結果
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富士通セミコンダクターは8日、窒化ガリウム(GaN)製の次世代パワー半導体(写真は試作品)を2013年後半に量産すると発表した。... GaN製の次世代パワー半導体は、...
経済産業省は2013年度に省エネルギー性能が高い次世代パワー半導体を採用した自動車向けインバーター開発に着手する。... ただ炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)...
パナソニックは2012年度下期に北陸工場(富山県魚津市)で窒化ガリウム(GaN)製の次世代パワー(電力制御用)半導体の量産を始める。... 調査会社の富...
炭化ケイ素(SiC)を使った次世代パワー半導体デバイスへの応用が見込め、航空機のエンジンや発電所など高温動作が不可欠な場面への展開が期待できる。
太平洋セメントと屋久島電工(東京都中央区)は、2012年度内に次世代パワー半導体の原料となる超高純度炭化ケイ素(SiC)粉末の量産を始める。... 電気自動車(...
ロームはシリコン製に代わるパワー半導体で高電圧・大電力の制御に向く炭化ケイ素(SiC)製を10年から量産している。耐圧600ボルト以上はSiC、それ以下はGaN製を実用化し次世代パワー...
【次世代パワー半導体材料】 「炭化ケイ素・窒化ガリウム」耐電圧・放電性競う 家電製品から電気自動車まで広く普及が見込まれる次世代型パワー半導体。... 次世代パワー...
半導体メーカーが2012年度にも基板材料に炭化ケイ素(SiC)を使う次世代パワー半導体のウエハーを大型化する。... (鉄・非鉄・化学・素材に関連記事) ...
メモリー(記憶媒体)に使うシグナル半導体の検査装置は年々精密化しており、パワー半導体の検査にも使われる。しかし山本敏社長は「パワー半導体にはオーバースペック(過剰性能)...
明電舎は14日、素材にSiC(炭化ケイ素)を採用した次世代パワー半導体チップをフルに搭載したインバーター(写真)を試作した。SiC半導体の適用技術確立が狙い。
東芝は機器の電力消費を削減できる次世代パワー半導体を計画より1年程度早めて2012年にも実用化する。... 機器の省エネルギー化の要望が高まる中、次世代パワー半導体の事業化を急ぐ。 ...
富士経済(東京都中央区、03・3664・5811)はSiC(炭化ケイ素)などシリコンに替わる素材を使った次世代パワー半導体の市場が2020年に10年比22倍の1260億...
冨士エンタープライズ(愛知県犬山市、大須賀晃社長、0568・67・8172)は、高槻機工(大阪府高槻市)などと共同で、パワー半導体実装用の樹脂基板の放熱特性を大幅に向上...
パナソニックは7日、耐圧性能を3000ボルトまで高めた窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタをシリコン基板上で実現したと発表した。... 次世代パワー半導体として有望なGaN半導体で...
またウエハーにシリコンではなく炭化ケイ素(SiC)を活用したパワー半導体に対応した装置の展示も目立った。... 3次元技術や次世代パワー半導体はウエハーの大型化や微細化が必ずしも必要で...
