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記事検索結果
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EUV露光装置は現状では光源出力100ワット程度にとどまるが、光源にレーザー生成プラズマ(LPP)を採用し09年半ばに出力を200―210ワットに引き上げる。... IMECはオランダ...
次世代半導体の加工技術とされる極端紫外線(EUV)露光用のレジストの開発を進める。「2011年にも登場する回路線幅32ナノメートル世代にはEUV露光が欠かせない」とにらむ。
【神戸】兵庫県立大学高度産業科学技術研究所(兵庫県上郡町)は11月をめどに、同研究所付属の放射光施設「ニュースバル」(同)に極端紫外線(EUV)露光のレ...
この20ナノメートル世代では露光光源に極端紫外線(EUV)を用いる研究開発が進められている。 EUV露光では露光光源を従来のレーザー光から波長13・5ナノメートルのEUVに置き...
「回路をウエハーに焼き付ける露光装置の開発動向がカギを握りそう。... だが、20ナノメートル台は露光光源に極端紫外線(EUV)を用いる研究開発が業界では進められている。1個ならば回路...
量産を始めた43ナノメートルプロセスは、露光装置に投影レンズとウエハー間に純水を用いて解像度を上げる液浸露光を用いている。一段と微細化した次世代半導体は、液浸での2回露光(ダブルパターニング&...
露光光源が光から極端紫外線(EUV)に変わるため開発費や設備導入費がかさみ採算に乗らないと見ている。... さらに、事業的にはEUV露光装置の開発に巨額の開発費を投入するため、投下資本...
「回路をウエハーに焼き付ける露光が難しい。極端紫外線(EUV)を露光光源に用いる研究開発が進んでいるが、量産技術の確立までに時間がかかると思う。また、技術確立してもEUV露光装置の導入...
オランダのASML、ニコン、キヤノンの露光装置メーカー3社は32ナノメートルプロセスに向けた研究開発を、露光を2回実施する「ダブルパターニング」、純水より屈折率の高い溶媒を介して解像度を高める「高屈折...
露光技術は、きめ細かさを表す尺度の解像度をいかに上げるかがポイント。... オランダのASML、ニコン、キヤノンの露光装置メーカー3社は、32ナノメートル以降の先端プロセスでは、研究開発の方向性として...
光源に極紫外線(EUV)を使う次世代露光装置の搬入に使うクレーンが「特注品で190万ユーロ(約2億3000万円)もした」とか。 EUV露光装置単体の価格も一台8...
