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オペアンプや金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)など数点の部品を追加することで、ちらつきの原因となる電流の変動(リプル)をゼロにした。

スイッチング素子に金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、低電流領域のオン電圧を従来比6割低減。

(京都・小林広幸) 【製品プロフィル】 SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD)と金属酸化膜半導体電界効...

東京工業大学の菅原聡准教授、周藤悠介特任助教らの研究チームは、神奈川科学技術アカデミーと共同で、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)と電子の磁気的性質(スピン)の融合技術...

モジュール内蔵素子をSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のみで構成。

高効率化で次世代MOSFETとして期待されるトレンチ構造にも対応。京大とロームがトレンチ型MOSFETを試作し、その性能を実証した。 高耐圧化、薄型化などSiC製MOSFETの特性を...

内蔵する出力MOSFET(酸化膜半導体電界効果トランジスタ)のオン抵抗を0・4オームから0・2オームに半減することで小型化を実現。

まずは小信号酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に適用し、7月にマレーシア、タイの両工場で合わせて月6000万個体制で量産を始めた。

パナソニックは22日、放熱性能の向上と小型化を両立したパワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真、一目盛りは1ミリメートル)を完成、10月に量産を始めると発表した。

「HiSIM」をベースに絶縁膜の上にMOSFETというトランジスタを作り込む技術。

【京都】ロームは産業機器や車載用機器向けのパワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)市場に参入する。... 耐圧40ボルトのパワーMOSFETは電流値9―100アンぺアの製...

SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD)と酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載しており、機器の小型・高効率化に貢献する。

【京都】ロームは汎用性の高い炭化ケイ素(SiC)製の酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を完成、7月に量産する。... 新しいMOSFETは耐圧120...

【京都】ロームはDC/DC(直流/直流)コンバーター用に、高効率化した耐圧30ボルトの酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)16種類を完成...

ルネサスエレクトロニクスは、ノートパソコンの省電力化に寄与するパワー半導体(MOSFET)計5品種を発売した。

【京都】ロームは電力損失をシリコン(Si)製パワー半導体の20分の1以下に抑えた炭化ケイ素(SiC)製のトレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFE...

【半導体および装置分野】 久本大日立製作所主管研究員は、3次元立体構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を世界で初めて試作し、その効果を実証した。

三菱電機は業務無線機や特定小電力無線機の電力増幅器用に7・2ボルト動作の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を12月1日に発売する。

数年内にSiCのMOSFETも製品化し、ダイオードだけでなく、インバーターモジュールの「フルSiC化」の製品化も視野に入れる。

【半導体及び半導体装置分野】久本大日立製作所中央研究所エレクトロニクス研究センタ主管研究員「フィン型MOSFETの提唱と実証」 【計測評価分野】中西彊名古屋大学名誉教授、竹田美和名大教授、越川...

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