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独インフィニオン、300mmGaNウエハーに回路形成 (2024/9/17 電機・電子部品・情報・通信)

シリコンウエハー上に均質なGaN層をエピタキシャル成長させて実現した。

高品質な厚膜GaNエピタキシャル成長を実現する。... 結晶の上に結晶質の薄膜を成長させるエピタキシャル成長の工程を効率化する際、基板を大型化すると、反りやヒビが生じやすかった。

東洋炭素、等方性黒鉛で攻勢 半導体向け高水準の投資 (2024/6/5 素材・建設・環境・エネルギー2)

24年後半ごろには、東洋炭素生産技術センター(同観音寺市)で、SiCエピタキシャル成長装置向けサセプターにSiCや炭化タンタル(TaC)のコーティングを施す処理炉の設備...

有機金属気相エピタキシャル成長(MOVPE)法などでナノワイヤを結晶成長させ、異種材料を均一に並べる集積技術に強みを持つ。

有機金属気相エピタキシャル成長(MOVPE)法により、窒化アルミの基板上にpn接合ダイオードを作製。

つなぐ/パワー半導体、次世代素材続々 性能・コストしのぎ削る (2024/1/4 素材・建設・環境・エネルギー)

信越化学工業はGaNエピタキシャル成長用の複合材料基板「QST基板」を手がけ、量産体制を構築している。

研究グループは、結晶構造が立方晶の3C―SiCと、六方晶の4H―SiCを積層させたハイブリッド構造基板を同時横方向のエピタキシャル成長法を用いて製作。

東京農工大学の熊谷義直教授らは大陽日酸と共同で、次世代パワー半導体向け材料として期待される高純度のβ型酸化ガリウム結晶の高速成長を、有機金属気相エピタキシャル成長(MOVP...

従来、r―GeO2は成膜時に蒸発するため、霧(ミスト)状の溶液を使い薄膜を形成する「ミストCVD(化学気相成長)」法でも低結晶領域が混入し、うまくエピタキシャル成長させ...

同プロジェクトは30年までに溶液成長法による200ミリメートルSiCウエハーの実用化を目指すもので、名大の研究成果をベースに結晶成長の知見のあるオキサイド、ウエハー加工技術や評価技術を持つMipoxの...

酸化ガリウム単結晶基板の製造・加工用設備、検査設備のほか、ウエハー上に酸化ガリウムをエピタキシャル成長させる成膜装置を追加導入する。

信越化学工業は18日、パワーデバイス向けに窒化ガリウム(GaN)エピタキシャル成長基板製品の製造・販売を始めると発表した。... サンケン電気から技術供与を受け、基板となる結...

真空中で結晶成長を促す分子線エピタキシャル成長(MBE)法で直接、下地基板上にテンプレートとなる窒化ガリウムの薄膜を作製。

単結晶の上で単結晶を作るエピタキシャル成長法で、ニッケルのハロゲン架橋金属錯体とパラジウムのハロゲン架橋金属錯体の単結晶が接する界面を作製した。

そこで生きるのが、傘下のニューフレアテクノロジー(横浜市磯子区)が手がけるエピタキシャル成長装置の技術だ。

NEDO、SiCウエハー技術育成 3件186億円支援 (2022/3/8 素材・医療・ヘルスケア2)

昭和電工はウエハー上にSiCをエピタキシャル成長させたウエハー(エピウエハー)の大手。

この問題解決のため、情報通信研究機構(NICT)は、エピタキシャル成長と呼ばれる結晶成長法を用いた窒化物超電導量子ビットを開発した。 この量子ビットは、超電導体として...

また、GaN基板上にGaN結晶をエピタキシャル成長させる際にHVPE法を用いてエピ層の品質を高める技術も開発した。

アールデック、米ビーコ製半導体装置部品を投入 (2019/3/19 電機・電子部品・情報・通信2)

アールデックが国内で販売するのは半導体の結晶成長を促す分子線エピタキシャル成長法(MBE)装置や、真空管システム用のセルなど。

【最小オン抵抗】 産総研ではこれらの課題克服のため、MOSチャネルを結晶品質が高いエピタキシャル成長膜で構成したIE−MOSFETを開発し、当時の世界最小オン抵抗を達成した。

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