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東北大、磁気トンネル接合素子で10ナノ秒以下高速書き込み動作実証（2021/12/16 科学技術・大学）

高速動作が必要なキャッシュメモリーへの利用が開ける。半導体の1ナノメートル世代以降のオングストローム世代(オングストームは100億分の1メートル)までスピン注入型磁気抵抗メモリー...

東工大など、SOT―MRAM素子作製不揮発性メモリー大容量化（2021/11/1 科学技術・大学）

待機電力を大幅減東京工業大学のファム・ナムハイ准教授は米カリフォルニア大学ロサンゼルス校と共同で、不揮発性メモリーの大容量化につながるスピン軌道トルク磁気抵抗メ...

経営ひと言/フルヤ金属・桑原秀樹取締役「今後は強含み」（2021/8/5 商品市況）

ただ、スピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)の材料に使われるなど引きは強い。

STT―MRAM向け記憶素子、書き換え耐性6000億回超東北大（2021/6/9 科学技術・大学）

東北大学の永沼博准教授と遠藤哲郎教授らの研究グループは、1ケタナノメートル(ナノは10億分の1)世代の集積回路に対応したスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)...

ソニー、メモリー一体の画像センサー機器の高性能化に貢献（2021/6/2 総合１）

ソニーグループはイメージセンサーのチップ上にメモリーを積層する技術を確立した。... ソニーセミコンダクタソリューションズ(神奈川県厚木市)の岡幹生デバイスエンジニアらが、相補型金属酸...