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昭和電工は1日、パワー半導体向けに、低欠陥グレードの炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハー「ハイグレードエピ」に第2世代品を開発したと発表した。
同社は秩父事業所(埼玉県秩父市)で高品質なSiCエピウエハー「ハイグレードエピ」の製造設備を増強した。
昭和電工はパワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーの直径4インチ(100ミリメートル)品と6インチ(150ミリメートル)品で欠...