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低接触抵抗・耐熱性を両立 「半導体技術」はデジタル変革(DX)やグリーン・トランスフォーメーション(GX)の基盤である。... この2次元半導体もシリ...

金属並みの低接触抵抗を実現。

材料の物理的特性は、室温20度Cの電気抵抗値が6・9マイクロオームセンチメートル、温度抵抗係数は0度Cから100度Cの範囲で1度C当たりプラス6・6ppmを実現した。 ニッケルの純度...

最大10ミリオームの低接触抵抗により高い電流安定性を実現している。

低接触抵抗を実現し、スマートフォンやタブレット端末(携帯型情報端末)向けに電磁波対策材料として提案を始めた。... このため低接触抵抗を可能にした。 ... 従来品の...

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