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住友電気工業は新しい結晶技術を使い、出力密度を従来比2倍に高めた窒化ガリウム製トランジスタ(HEMT)を開発した。... N極性窒化ガリウムHEMTとして世界最高値である、周波数28ギ...

富士通と富士通研究所(川崎市中原区)は5日、気象レーダーなどのパワーアンプ(増幅器)に使用されている窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ...

富士通は世界最高の出力性能を持つW帯(75ギガ―110ギガヘルツ、ギガは10億)向けの窒化ガリウム製の送信用出力増幅器(パワーアンプ)を開発した。... 今回、窒化ガリ...

窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った送受信モジュールで、送受信機能を一つのパッケージに集約できるようにして小型化した。従来は、熱を逃がすため部品ごとにパッケージ...

2倍の高調波を精度良く窒化ガリウムHEMTに反射することで効率を高めた。窒化ガリウムHEMTを使えば増幅器の高出力化と小型化が可能になる。... 同社は昨年から100ワット、効率60%の窒化ガ...

窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った世界最高出力の送信用増幅器で、既存のガリウムヒ素製のHEMTを使った増幅器に比べて、出力を16倍に高めた。... 窒化ガリウ...

富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は23日、世界で初めて電源装置向け窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を開発したと発表し...

富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、5ギガ―12ギガヘルツ(ギガは10...

富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、4ギガ―8ギガヘルツ(C帯、ギガは...

富士通と富士通研究所(川崎市中原区)は、待機時の通電を遮る回路が不要な新構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を開発した。... 新構造の窒化ガリウムH...

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