- トップ
- 検索結果
記事検索結果
電子版有料会員の方はより詳細な条件で検索機能をお使いいただけます。
ログイン
5件中、1ページ目 1〜5件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.001秒)
半導体再興へ 大学の最先端研究(8)LSTCでも微細化追究 （2024/1/25 科学技術・大学１）
日本発の最先端ロジック開発 東京大学の平本俊郎教授は日立製作所でバイポーラ相補型金属酸化膜半導体(BiCMOS)の開発に携わった。
パナソニック、線幅110ナノメートルのBiCMOSをセンサー用ICに採用 （2011/1/27）
パナソニックは26日、回路線幅110ナノメートル(ナノは10億分の1)のバイポーラ相補型金属酸化膜半導体(BiCMOS)製造プロセスを開発したと発表した。... 線幅1...
東芝、0.13マイクロメートル世代高耐圧アナログ混載プロセス技術を開発 （2009/6/17）
8―60ボルトの幅広い耐圧特性を持ち、40ボルト以上の高耐圧に対応する二重拡散型MOS(DMOS)混載BiCMOSプロセスの実現は世界で初めて。
NECエレ、インテルとシステム電源ICを共同開発 （2008/2/8）
NECエレはアナログやデジタルコアなどの回路設計資産、BiCMOSやCMOS、アナログ/デジタル混載の先端プロセス技術を生かしていく。
