- トップ
- 検索結果
記事検索結果
18件中、1ページ目 1〜18件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.002秒)
省エネルギーなスピン移行トルク磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)の実用化につながる。 ... STT―MRAMはデータ保持のための電力が要らない。
現在、この記憶素子に電流を流すことで情報の読み込みと書き込みを行うSTT―MRAMが主流であり、システムLSIの混載メモリーとして一部商用化された。
半導体の1ナノメートル世代以降のオングストローム世代(オングストームは100億分の1メートル)までスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)技術を延伸できることに...
実用化が始まっているスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)は書き込み電流が大きく、DRAM並みのビット密度を確保しにくい課題があった。
東北大学の永沼博准教授と遠藤哲郎教授らの研究グループは、1ケタナノメートル(ナノは10億分の1)世代の集積回路に対応したスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)...
ソニーセミコンダクタソリューションズ(神奈川県厚木市)の岡幹生デバイスエンジニアらが、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーに積層できるスピン注入型磁気抵抗...
シンフォニアテクノロジーのタイ現地法人(STT)が設立30周年を迎えた。... STTは1989年に現地企業との合弁形態で発足。
アドバンテストは、2020年度をめどに次世代の半導体メモリー「STT―MRAM」向け検査装置を市場投入する。... 研究グループは、STT―MRAMの不良を検知できる半導体検査装置(写真...
東京エレクトロンと米スピン・トランスファー・テクノロジーズ(STT)は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリー「MRAM」の開発に向けた協業契約を結んだ。東京エレクトロンが持つ...
同時発売の厚さ86ミリメートルの薄型サイドテーブル「STT160」(価格29万8000円)とセットで使用することで、多くのワーク(加工対象物)を置けるようになり、機内ス...
東芝と、東京大学の中村宏教授らの研究グループは1日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)のプロジェクトとして、消費電力を従来メモリー比10分の1以下に抑えた新方式の磁性体メモ...
産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。20ナノメートル世代(...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、スピン(磁気的性質)注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)のメモリーのデータを蓄える磁気トンネル接合&#...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...
東芝は動作時の電力消費量を従来比10分の1程度に低減した不揮発性磁性体メモリー「STT―MRAM」を開発した。... 開発したのは、垂直方向に磁化を記録する同社開発の垂直磁化方式STT―MRAMをベー...
低消費電力で書き込み速度が高速な「STT―MRAM」の製造装置技術の早期確立が狙い。... 13年に東北大学が開設する国際産学連携集積エレクトロニクス研究開発センター(仮称)内でSTT...
富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM&#...
