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記事検索結果
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東芝デバイス&ストレージの従来製品はGaN電界効果トランジスタ(FET)とシリコン(Si)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を...
私たちは、ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)の研究を行っている。FETで電力損失を低減するには、電荷の流れやすさを表す「移動度」が高いことが望まれる。... そのFETの移動度...
ヌーヴォニクスでは主に中華圏メーカーの電界効果トランジスタ(FET)などの部品を扱う。
トーカロイは硬度(HRA)90・5で耐摩耗性と耐衝撃性を兼ね備える「RET35」、HRA92・5でより耐摩耗性に優れる「FET04」の2種類の新素材を展開する。... 刃先摩耗量をRE...
3ナノメートルや2ナノメートルプロセスでは、現在主流の3次元構造を持つFin電界効果トランジスタ(FET)に代わり、チャネルの四つの面を囲むようにゲート電極を配置したトランジスタ「ナノ...
正孔を流すp型FETと組み合わせるとフレキシブルな電子回路につながる。 ... ポリマー半導体で電子回路を作る際にp型とn型のFETがそろったことになる。今後、両FETでインバーター...
保護ICは過充電や過放電を検出すると電界効果トランジスタ(FET)スイッチをオフにして電流を遮断し、バッテリーを故障や劣化から守る部品。FETスイッチは通常より大きな電流(過電...
23年度に量産するデバイスはGaN電界効果トランジスタ(FET)とSi金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を組み合わせたスイッチング電源デバイス。
EUでは従来、アカデミア向けの研究資金助成機関である欧州研究会議(ERC)や、新興・融合研究への助成を目的とする未来新興技術(FET)プログラムを通じて、基礎研究に資金...
【川崎】富士通ゼネラルは15日、窒化ガリウム(GaN)を材料に使った電界効果トランジスタ(FET)の高耐圧チップをドライブ回路とともに内蔵した小型パワーモジュールを、世...
さらにSiのn型電界効果トランジスタ(FET)とGeのp型FETを上下に積層したhCFETを作製した。両FETを同時にトランジスタ動作させることに成功。
【ビジネスワイヤ】半導体メーカーの米トランスフォームは、同社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaN(窒化ガリウム)電界効果トランジスタ(FET)プラットフォーム「TP65...
伊藤忠テクノソリューションズ(CTC)はNTTドコモ、アスカネット(広島市安佐南区、松尾雄司社長、082・850・1200)と共同で、台湾のファー・イーストーン・テレコ...
米トランスフォームは同社の高電圧窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)がTDKラムダに採用されたと発表した。
米トランスフォームは同社の高電圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)が、電源製品の台湾企業デルタ電子に採用されたと発表した。
そこでJAXAでは、BDRの小型軽量化のためにスイッチング周波数の高周波化を検討しており、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN-FET)を適用したメガヘルツスイッチング電源...
ルネサスエレクトロニクスは、宇宙産業向けに放射線耐性を持つ窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)と、GaNFETドライバーICを発売した。... FETの...
【開発と実証】 我々は人工イオンチャネルの材料設計、高保留性液膜溶媒の設計、生体適合性材料の利用により、FETを用いた唾液硝酸イオン計測用センサーを開発した。... 【バイオIoT】...
そのためPN接合による電界効果トランジスタ(FET)を実現できず、パワー半導体の材料として採用することは非現実的との見方が強かった。 ... N型のGa2O3と組み合...
