- トップ
- 検索結果
記事検索結果
1,262件中、1ページ目 1〜20件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
加工テーブルのサイズは、研削盤では一般的な直径600ミリメートルに対して750ミリメートルとし、車載向けなどに需要拡大が見込まれる炭化ケイ素(SiC)パワー半導体製造に要求されるサイズ...
シリコンパワー半導体に加え、電気自動車(EV)や電源インフラの急速な発展に伴い需要が増加している炭化ケイ素(SiC)など、ワイドバンドギャップ半導体材料を対象に展開する...
SiCの投資戦略をこれまでの先行投資から、需要に見合った投資へと変更した。... ただ当社のSiCの中国比率が高くなり過ぎないように意識し、他地域の販売に注力する。... 「SiC基板は現状、独サイク...
電動車のOBCユニットでは、これまでのシリコン製より小型化が図れる炭化ケイ素(SiC)製や窒化ガリウム(GaN)製の次世代パワーデバイスの採用が進む。
住友重機械工業は炭化ケイ素(SiC)製ウエハーを用いたパワー半導体向けに、レーザーアニール(ウエハー熱処理)装置の次世代機を2025年にも投入する。... SiCパワー...
ジェイテクトマシンシステム(大阪府八尾市、宮藤賢士社長)は、パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)などの硬脆材料ウエハーを2頭で同時加工するウエハー...
特に炭化ケイ素(SiC)パワー半導体はEVの普及に伴って成長するとされ、経済産業省の資料によると30年の市場規模は21年の1400億円から膨らみ、3兆円の大台を突破する見通し。 ...
高純度の炭化ケイ素(SiC)を材料とした半導体製造装置向け部材の製造では、電力を大量に消費する高温焼成炉を稼働している。
投資計画では、デンソーの大安製作所(三重県いなべ市)でSiCウエハー、幸田製作所(愛知県幸田町)でウエハー上にエピタキシャル層を形成したSiCエピウエハーをそれぞれ生産...
このほか専用の金型設計により、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体で導入が進むシンタリング(燃焼)や、二つのチップを直接接続するハイブリッドボンディングも可能だ。 ...
第1弾としてロームの炭化ケイ素(SiC)モールドタイプモジュール「TRCDRIVE pack」を、ヴァレオの次世代パワートレーンソリューションに提供する。 ....
「自動車の電気自動車(EV)化が急速に進むと考えられており、熊本県に炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の新工場を建設中だ。
ダイヤモンドパワー半導体は現在主流のシリコンに比べ、高温・高電圧でも稼働し、次世代パワー半導体材料として期待される炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも性能...
300ミリメートルでは米国、イタリア、台湾、韓国、日本で投資を進めている」 「(300ミリメートル以外では)一つは炭化ケイ素(SiC)関係だ。
三菱電機は電気自動車(EV)など、電動車(xEV)向けに炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップの...
私はかつてブリヂストンに所属し2003年から炭化ケイ素(SiC)超高純度焼結体の事業化に挑んだ。半導体製造で使う直径5インチのSiCウエハー開発に成功した。... 建築用品事業本部で新...
30年に現状比20ポイント増のシェア30%を目指す炭化ケイ素(SiC)半導体については「設備投資のブレーキを踏むが、世界シェア目標は変えない」と松本社長は強調した。
パワー半導体はシリコンから炭化ケイ素(SiC)やGaNを使った研究に移り、日本が世界をリードしてきた。... GaNの特性から、SiC製パワー半導体より、さらに抵抗を下げられる可能性も...
