東大、「エバネッセント」構造のシリコン上量子ドットレーザーを開発

東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構の荒川泰彦教授と張奉鎔大学院生らの研究グループは、新構造のシリコン上量子ドットレーザーを開発した。シリコンの光導波路に同レーザーを直接接続した「エバネッセント型」構造で、シリコンの光集積回路に搭載しやすい。従来は回路にレーザーを貼り合わせていたため、位置合わせが難しく、大量生産に向かなかった。高性能なシリコン光集積回路を３年後をめどに実用化する。

荒川教授らは、技術研究組合光電子融合基盤技術研究所（ＰＥＴＲＡ）、ＱＤレーザ（川崎市川崎区）と共同で、シリコン導波路に結合した量子ドットレーザーを初めて動作させた。分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）を持つシリコン光導波路上に、量子ドット活性層を含む化合物半導体のウェハーを直接融着したハイブリッド（複合）構造のレーザーを作製。１１５度Ｃまでの温度に対応し、集積回路近くの高温環境下でも安定的に動く。

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