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ＧａＮ結晶を高品質作製 名大、歩留まり100％・低コスト化技術
(2018/5/17 05:00)
名古屋大学の天野浩教授（写真）らは１６日、次世代パワー半導体の材料となる窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶を高品質に作る製造技術を開発したと発表した。劣化原因となる結晶欠陥を特定し低減させ、歩留まり率を３０％から１００％に向上させた。ＧａＮを大口径に結晶成長させる手法なども開発。品質向上...
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(2018/5/17 05:00)
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