Nexperia、AEC-Q101準拠ハーフブリッジ・パッケージを発表し、LFPAK56D MOSFETラインナップを拡充

省スペースのLFPAK56DハーフブリッジMOSFET、パワートレイン、モーター制御、DC/DCアプリケーション向けに寄生インダクタンスの60%低減と放熱特性向上を実現

必要不可欠な半導体のエキスパートであるNexperia（本社：オランダ、ナイメーヘン）は、省スペースのLFPAK56Dパッケージに封止したハーフブリッジ（ハイサイドとローサイド）車載MOSFET製品ラインナップを発表しました。2つのMOSFETを用いて構成されるハーフブリッジは、モーター駆動やDC/DCコンバータなどの多くの車載アプリケーションの標準ビルディング・ブロックです。新パッケージ技術により、ハーフブリッジ・ソリューションを1つのデバイスで提供可能なため、プリント基板上での配線が不要になります。それゆえ、3相モーター制御トポロジーで用いられる一般的なデュアルMOSFETと比べて基板占有面積を30%低減でき、製造時のシンプルな自動光学検査（AOI）も可能にします。



LFPAK56Dハーフブリッジ・パッケージは車載向けに信頼性が実証済みの既存のLFPAK56D量産アセンブリ・プロセスを使用しています。このパッケージは全体的な信頼性を向上するフレキシブルなリードを採用しているほか、MOSFET間の内部銅クリップ接続により基板設計を簡素化し、98Aと高い電流に対応可能なプラグ・アンド・プレイ・スタイルのソリューションを提供します。

ハーフブリッジ構成では一般的に、ハイサイドMOSFETのソースとローサイドMOSFETのドレインを基板上で配線することで、大量の寄生インダクタンスが生じる可能性があります。しかし、LFPAK56Dハーフブリッジ・パッケージは内部クリップ接続により、インダクタンスの60%低減を実現します。

新製品として発表したLFPAK56DハーフブリッジMOSFETはBUK7V4R2-40HとBUK9V13-40Hです。両製品とも堅牢性の高いTrench 9車載シリコン・プロセス技術を使用しており、定格電圧が40Vで、主要な信頼性試験において車載AEC-Q101仕様の2倍の性能が検証されています。また、オン抵抗はBUK7V4R2が4.2mΩ、BUK9V13が13mΩです。

NexperiaのAEC-Q101準拠LFPAK56Dハーフブリッジ・パッケージは高性能スイッチング・アプリケーション向けに基板占有面積の30%低減と寄生インダクタンスの60%低減を実現し、燃料/ウォーター・ポンプ、モーター制御、DC/DC電力変換などの広範な3相の車載パワートレイン・アプリケーションに最適です。新技術はすでに、車載分野の主要なお客様からデザインインやコミットメントを獲得しています。

製品データシートや解説ビデオなど、詳細についてはhttp://www.nexperia.com/lfpak56d-half-bridge をご覧ください。

Nexperiaについて
Nexperia（https://www.nexperia.com/ ）は世界ですべての電子設計に求められる必要不可欠な半導体やコンポーネントの量産のエキスパートとして、世界をリードしています。Nexperiaはダイオード、バイポーラ・トランジスタ、ESD保護デバイス、MOSFET、GaN FET、アナログ/ロジックICなどの広範な製品ポートフォリオを提供しています。本社はオランダのナイメーヘンで、年間製品出荷数は900億を超えており、各製品は自動車業界が設定した厳格な基準に適合しています。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費電力、性能の面で効率のベンチマークとして高い評価を得ており、貴重な電力とスペースを節減し業界をリードする小型パッケージで提供されています。

Nexperiaは数十年間にわたって世界のリーディング企業に製品を供給してきた実績を持っており、アジア、欧州、米国で12,000名を超える従業員を雇用しています。NexperiaはWingtech Technology Co., Ltd.（600745.SS）の子会社であり、広範なIPポートフォリオを有し、IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001、OHSAS 18001の認証を取得しています。

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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000014.000046678.html