次世代EVおよび産業機器に最適な第3世代 SiCパワーMOSFETを発表

・eモビリティや高電力効率の産業機器において、性能と信頼性の向上に貢献する最新世代SiCパワーMOSFET ・SiCへの継続的な長期投資により、将来の成長に向けた基盤を構築



多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、第3世代 SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET(1)を発表しました。このSTPOWER製品は、電気自動車（EV）のパワートレインをはじめ、電力密度や電力効率、信頼性が重視されるアプリケーションに最適な最先端のパワー半導体です。

SiCパワーMOSFETの市場をリードするSTは、SiCの省電力性能をさらに向上させるため、最先端かつ高度な設計ノウハウを採用してきました。この取り組みにより、EVおよび産業機器市場における継続的なイノベーションに貢献しています。EV市場の急速な成長に伴い、多くの自動車メーカーや車載部品メーカーが、充電の高速化や車両の軽量化に向けて800Vの駆動システムを採用しています。この新しいシステムにより、自動車メーカーは航続距離がさらに長い自動車を生産できます。STの第3世代SiCパワーMOSFETは特に、EVのトラクション・インバータ、オンボード・チャージャ、DC-DCコンバータ、およびカー・エアコン用コンプレッサなど、ハイエンドの車載アプリケーション向けに最適化されています。また、モータ・ドライブ、再生可能エネルギー・システム、通信やデータセンター用電源などの産業アプリケーションにも最適で、電力効率の向上に貢献します。

STのパワー・トランジスタMACRO事業部ジェネラル・マネージャ 兼 オートモーティブ & ディスクリート製品グループ・バイスプレジデントであるEdoardo Merliは、次のようにコメントしています。「STは、デバイスおよびパッケージ双方において、SiC技術の革新を進めています。垂直統合されたSiC製品のメーカーとして、お客様に対して製品の性能向上を提供し続けることができます。また、STは、2024年にSiC製品の売上10億ドルを見込んでおり、自動車・産業分野の顧客プログラムをサポートするため、積極的な投資を続けています。」

STは、第3世代SiCプラットフォームの品質認定を完了しており、このプラットフォームを採用した多くの製品が2021年内に量産レベルに達する見込みです。650V / 750V / 1200V耐圧の製品が提供される予定で、通常のACライン電圧で動作するアプリケーションから高電圧のEVバッテリや充電器まで、幅広いアプリケーションに対応します。最初に提供が開始される製品は、650V耐圧の「SCT040H65G3AG」で、価格は5.00ドルです。また、750V耐圧のベア・ダイ製品も提供されます。データシートの提供ならびに価格については、STのセールスオフィスまでお問い合わせください。

技術情報

STの新しい第3世代SiCプラットフォームをしたプレーナ型MOSFETは、トランジスタ効率、電力密度、およびスイッチング性能を表す「オン抵抗（Ron）x チップ・サイズ、Ron x ゲート電荷（Qg）」において優れた性能を備え、業界における新たなベンチマークを確立します。さらなる性能向上が困難になりつつある従来のシリコン技術に対し、SiCはきわめて重要な技術です。STは、第3世代 SiCパワーMOSFETにより、パワー半導体の進歩を加速させます。

SiCパワーMOSFETは、シリコン製品に比べてダイ・サイズに対する定格電圧が高いため、EVアプリケーションやEVの急速充電インフラに最適な技術です。また、双方向の充放電を実現するきわめて高速なダイオードを内蔵しているため、オンボード・チャージャのバッテリからインフラへの送電が可能で、V2Xに対応します。さらに、超高周波特性により、電源システム内の受動部品を小型化できるため、EVに搭載された電子機器の小型・軽量化に貢献します。この特性により、産業アプリケーションにおける所有コストの削減も可能です。

STの第3世代 SiCパワーMOSFETは、ベア・ダイ、ディスクリート・パワー・パッケージ（STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L、HU3PAKなど）、パワー・モジュール（ACEPACKファミリなど）といったさまざまなパッケージ・オプションで提供されます。これらのパッケージには、特設の冷却タブなどの革新的な設計が採用されており、EVアプリケーションのベース・プレートやヒート・スプレッダへの接続を簡略化します。EVメイン・トラクション・インバータ、カー・エアコン用コンプレッサ、オンボード・チャージャ、DC-DCコンバータといった車載アプリケーションや、太陽光発電用インバータ、蓄電システム、モータ・ドライブ、電源といった産業用アプリケーションなど、幅広いアプリケーションに対応したパッケージを選択可能です。

STのSiC製品ポートフォリオと第3世代SiCパワーMOSFETの詳細については、ウェブサイトをご覧ください。
（ https://www.st.com/ja/power-transistors/stpower-sic-mosfets.html?icmp=tt24483_gl_pron_dec2021 )

(1) MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、現代の電子機器の基本構成要素です

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、約46,000名の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な独立系総合半導体メーカーです。約10万社のお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、IoT・5G通信の普及を可能にします。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st.com ）をご覧ください。

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〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
オートモーティブ & ディスクリート製品グループ
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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000001208.000001337.html