大日本印刷、キヤノン、キオクシアの３社共同の「NILによる超微細半導体の省エネルギー加工技術」が「第49回 環境賞」を受賞

大日本印刷株式会社、キヤノン株式会社、キオクシア株式会社の3社が共同で開発する「NIL＊１による超微細半導体の省エネルギー加工技術」が、国立研究開発法人 国立環境研究所／日刊工業新聞社主催、環境省後援の「第49回 環境賞＊2」で優良賞を受賞しました。 ＊１：Nano-Imprint Lithography（ナノインプリントリソグラフィ） ＊2：「環境賞」は公害問題の解決が叫ばれていた1974年の創設以降、環境保全や環境の質の向上に貢献すべく、時代の要請に応える優れた取り組みを行う個人、法人、団体・グループ等を表彰しています。


【今回の受賞における評価のポイント】
3社は、半導体製造用の基板に微細パターンを転写する「NIL技術」で、最先端半導体で求められるナノメートル＊3レベル（半導体プロセスの技術世代5ナノノードに相当）のパターン転写を実現しています。今回の受賞に関しては、パターン転写工程での消費電力を従来手法に比べて約10分の1に抑え、IoT社会の急速な拡大を支える製造技術として注目されていることが高く評価されました。
＊3：ナノメートルは10億分の1メートル

【NIL技術について】
NIL技術は、半導体製造のリソグラフィ工程といわれる微細パターンを形成する工程で使われています。ArF（フッ素化アルゴン）液浸技術やEUV技術など従来の光露光技術と異なり、基板上に塗布した樹脂上に微細な凹凸パターンを形成した版を押し当てパターンを転写します。


ナノインプリントリソグラフィの工程フロー

これにより光の波長の制限がなく、製造工程がシンプルで装置規模も小さく、消費電力を増やさずに微細パターンを形成できます。また、従来の光による露光技術のような波長の制約がないため、将来のさらなる微細化にも対応できるパターン転写技術で、今後予想される半導体の微細化の進展に対しても、消費電力を上げることなく長期的にわたる製造技術として活用が期待されます。

【今後の展開】
大日本印刷は、半導体の微細化や半導体製造時の低消費電力化など幅広い分野での研究開発に取り組んでいくとともに、ナノレベルの先端技術を軸に、社会のさまざまな領域へと広がる半導体活用のニーズに応えていきます。

・DNPのナノインプリントリソグラフィ（NIL）の詳細については、こちらをご覧ください。
https://www.dnp.co.jp/biz/solution/products/detail/10161946_1567.html
・DNP企業広告（TVCM）は、こちらをご覧ください。
https://www.youtube.com/watch?v=GoVYNpZF5Bc

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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000185.000069194.html