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記事検索結果
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シリコン基板上にインジウム・ガリウム・ヒ素(III―V族化合物半導体)を集積する新技術を開発、酸化アルミニウムの絶縁膜上に形成したIII―V族化合物半導体(III―V―OI&#...
今回東芝は、トランジスタを構成するゲート電極とソース・ドレイン間の絶縁層(ゲート側壁)を10ナノメートルと従来比3分の1まで薄くし、寄生抵抗の増加を抑えることに成功した。
数ミリ―数十ミリグラムの微量のPCBが混じった絶縁油を含む廃電気機器の処理を秋田県、岡山県の計3拠点で始める。年内に秋田県でPCB汚染絶縁油の処理を始め、トランス容器や油入りケーブルなど段階的に処理品...
パナソニック電工は基板の絶縁層に高周波帯での電気特性が優れたLCPを採用し、基板材料のFELIOSシリーズに高速伝送用「R―F705Z」を追加した。 ... 新日鉄化学は高周波伝送向けに、絶縁...
同グループでは超電導体としてアルミニウム、強磁性電極としてコバルト鉄、さらに絶縁体に酸化マグネシウムを使って「二重トンネル接合デバイス」を開発。
これによるウエハー強度低下を補うため、保護板を仮止して、製造作業を行うが、プラズマCVDで形成する絶縁膜の性能を高め、デバイスの信頼性向上には280度C程度に温度を上げる必要がある。
キャリア付きの場合、キャリアと呼ばれる銅箔の強度を保つ保護箔に絶縁体をパターン印刷して、多孔状の電解銅箔にした。絶縁部分は銅が電着しないためドラムからはがして銅箔にした際に穴となる。
京都大学の山下穣助教、芝内孝禎准教授、松田祐司教授、理化学研究所の加藤礼三主任研究員らは、ある種の絶縁体が絶対零度(マイナス273・15度C)付近でも金属のように熱をよく伝えることを突...
【日本パルス工業/高精度で電力計測装置に最適】 日本パルス工業(東京都練馬区、吉田雅治社長、03・3594・2111)は、パワーエレクトロニクス分野での絶縁をテーマに...
現在はダイオードでの採用が多いが、ロームや三菱電機などのパワー半導体メーカーはこぞって金属酸化膜型電界効果トランジスタ(MOSFET)、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IG...
タムラ製作所は発光ダイオード(LED)照明や薄型ディスプレー(FPD)の普及拡大を踏まえ、反射材や絶縁材など電子化学材料事業を強化する。白い従来製品を赤や青、緑などに着...
三つに分散していた絶縁部分と防水機能、金属遮へい層を一体化。... 従来は絶縁テープを巻き付けたり、三つの部品をそれぞれ設置したりするなど作業が難しくノウハウが必要だった。
【科学技術政策担当大臣賞】▽脳腫瘍(しゅよう)の完全摘出技術の開発(村垣善浩東京女子医科大学先端生命医科学研究所准教授ほか)▽新型インフルエンザを医療現場において15分...
