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記事検索結果
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SJ―MOSFET(スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を搭載し、低電流域のオン電圧を自社の従来製品比で66%低減しており、エアコンのエネルギー消費効率...
【2つの伝導巧妙に】 私たちはこの組み合わせをうまく工夫して、室温でも大電流を流せるダイオードのほか、電流増幅ができる接合型バイポーラトランジスタや高いオン・オフ比と急峻(き...
先端技術部門(授賞対象分野はエレクトロニクス)受賞者のデナード博士は、半導体ダイナミックメモリー(DRAM)の発明と電界効果トランジスタ微細化指針の提唱が情報・通信技術...
産業技術総合研究所は従来比10―100倍の動作電流が得られる新構造のトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を開発した。... トンネルFETは電子のトンネル効果を利用したトラン...
【横浜】筑波大学の大毛利健治准教授は、ディー・クルー・テクノロジーズ(横浜市港北区、石川明彦社長、045・470・0533)と東京工業大学とともに、金属酸化膜電界効果トランジスタ...
東芝は動作時の消費電力を約80%低減することが見込める通信用途のトランジスタを開発した。... 開発したのは通信機能を担うMOS電界効果トランジスタ(FET)で、高周波(...
シリコンのトランジスタに比べ、より低電圧で電流を流せるトランジスタを使うため、シリコンLSIよりも10分の1程度低電力化できるとみている。... 入沢寿史連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンタ...
東京大学放射光連携研究機構の尾嶋正治特任教授、東北大学電気通信研究所、東大工学部の共同研究グループは、グラフェンFET(電界効果トランジスタ)の電子状態を調べ、デバイスの性能劣化の原因...
ロームは高速スイッチング性能と低電流から大電流までの省エネルギー特性を兼ね備えたトランジスタ「ハイブリッドMOS」を完成した。スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―...
スイッチング素子に金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、低電流領域のオン電圧を従来製品に比べて6割低減。
オペアンプや金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)など数点の部品を追加することで、ちらつきの原因となる電流の変動(リプル)をゼロにした。
スイッチング素子に金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、低電流領域のオン電圧を従来比6割低減。
トランジスタとダイオードをともにSiCでつくったフルSiCパワー半導体モジュールで、保護技術などを用いて大容量化を実現した。... 開発したのは、SiCの金属酸化膜半導体(MOS)電界...
大阪府立産業技術総合研究所の宇野真由美主任研究員、大阪大学産業科学研究所の竹谷純一教授らは、8・3メガヘルツ(メガは100万)の高速応答性を持つ、3次元有機電界効果トランジスタを作製し...
「“フルSiC”パワーモジュール」は内蔵するダイオードとトランジスタをともにSiC製で構成する。... (京都・小林広幸) 【製品プロフィル】&#...
東京工業大学の菅原聡准教授、周藤悠介特任助教らの研究チームは、神奈川科学技術アカデミーと共同で、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)と電子の磁気的性質(スピン)の融合技術...
モジュール内蔵素子をSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のみで構成。すでに同社が量産するSiC製ダイオードとトランジスタを組み合わせたパワーモジュールに比べて...
