- トップ
- 検索結果
記事検索結果
2,536件中、110ページ目 2,181〜2,200件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
原料鉄粉の粒度分布の最適化、高耐熱酸化マグネシウム系絶縁被膜の採用、成型・熱処理プロセスの最適化により、高周波作動時に熱損失する鉄損を従来の電磁鋼板と同等に抑えた。
各セルが基板上で電気的に直列接続する構造で、絶縁性材料にセラミックスを用い、合金系材料を使わないので低コスト化が期待できるという。
ゲート絶縁膜に薄い単分子膜を使う。金属電極を絶縁膜で挟み込み、フラッシュメモリーなどと同じ構造を採用してメモリーを作製した。... 今後、絶縁膜の厚みなどを調整し、現在約1日であるメモリーの保持時間を...
22ナノメートル世代トランジスタの評価結果によると、従来比15%薄い高誘電率ゲート絶縁膜の採用で動作速度が18%向上した。同程度の絶縁膜は従来、性能の指標とする移動度が19%劣...
三菱電機は業界最大の定格電流容量を持つ産業用の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール「ニューMPDシリーズ」を製品化し、2010年1月に発売する。
ゲート絶縁膜を形成し、MIS型パワートランジスタを試作した。... 【用語】窒化ガリウム製パワートランジスタ=窒化ガリウムは絶縁破壊を起こす電界強度がシリコンの約10倍で、高耐圧用途に向く。
増産するのはエアコンや冷蔵庫など白物家電のモーターを制御する「DIP―IPM」と呼ぶ半導体と、ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)に搭載するモーターを制御する絶縁...
変形させやすく、耐熱性と絶縁性に優れるため、回路基板や半導体用の封止材、発電機などに樹脂の用途が広がる。... 開発したエポキシ樹脂でプリント回路基板を試作した結果、従来の石油を原料とするエポキシ樹脂...
SiC半導体はシリコン製に比べて電力交換時のエネルギー損失がシリコンの約半分で、絶縁破壊に至る電界強度は約10倍、熱伝導率が同2―3倍。
富士通研は絶縁加工したシリコン基板上に、一般的な化学気相成長(CVD)法でグラフェン素子を作製した。... 従来は別基板に作製したグラフェンを絶縁基板に転写する工程が必要で、大量製造に...
顧客は信号線や電源線などから利用するケーブルを選び、曲げ半径や重さ、ねじれ、導体・絶縁体の種類などの使用条件を盛り込んで大電に提出。
国産化政策により変圧器はすべて中国メーカーのものを使っているが、「大電流の遮断技術は簡単に移植できない」(宮原茂男東芝電力流通システム事業部海外電力技術部長)ため、ガス絶縁の開閉装置は...
導電性金属膜とガラス基板、絶縁膜を組み合わせた培養装置を使い、約20分で大量の細胞を集積できる。... ガラス基板に液晶や有機エレクトロルミネッセンス(EL)パネルの透明電極として使う...
