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記事検索結果
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三菱電機は業務無線機の電力増幅器に利用する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を7月1日にサンプル出荷する。
東京大学大学院工学系研究科の横山正史特任研究員らは、シリコン製トランジスタより3―5倍性能が高い化合物半導体を使ったトランジスタを開発した。... これで世界で初めてトランジスタの動作実証に成功した。...
サンケン電気はトランジスタやダイオード、コイルなどの構成部品を1パッケージ化した電源モジュール(写真)を開発した。... トランスやコイルのほか、パワーMOS―FET(金属酸化...
現在はダイオードでの採用が多いが、ロームや三菱電機などのパワー半導体メーカーはこぞって金属酸化膜型電界効果トランジスタ(MOSFET)、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IG...
同アンプは真空管に近い特性の電界効果トランジスタ(FET)素子を用いた独自の電気増幅回路を持つフォノ用イコライザーアンプ。従来アンプの回路はトランジスタとFET素子に別々の電圧がかかる...
【広島】広島大学はトヨタ自動車、豊田中央研究所と共同で、車載用IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)用のシミュレーションモデルを開発した。... 従来はIGBTを構成するバイポ...
【京都】ロームは0・9ボルトの低電圧で駆動する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。同トランジスタは高密度集積回路(LSI)の外付けスイッチ用...
スイッチング素子の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSEFT)や保護機能を持つ制御回路を一つのパッケージに搭載した製品。
米IBMトーマス・J・ワトソン研究所は、炭素原子がシート状に並んだナノ素材のグラフェンを使って電界効果トランジスタ(FET)を作製し、これまでのシリコンベースのFETより高速に動作する...
LSIの高速・低消費電力化を実現できるほか、ロジックLSIのトランジスタにメモリー機能を持たせることもできる。... 開発したのは、一般的なMOS電界効果トランジスタ(FET)にスピン...
ルネサステクノロジは7日、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)2種類とドライバーIC(集積回路)を一体化したノートパソコン用の半導体パッケージ製品を量産...
この成果は、低コストで小型・軽量化などを目的とした有機薄膜太陽電池や電界効果トランジスタ(FET)などの材料開発に期待される。
常温で液体の塩(イオン液体)を電解質に用いた電界効果トランジスタを試作し、材料中の伝導キャリアの濃度を上昇させることができた。... グループは「電気二重層トランジスタ」と呼ぶ素子を2...
インバーターモジュールを構成する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)はダイオードの配置を見直し、性能を引き出した。 ... SiCはシリコンに比べて絶縁破壊を起...
