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記事検索結果
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SiCやGaNを使った次世代パワー半導体では高速スイッチングと高耐圧が求められ、トランジスタのゲート酸化膜をできるだけ薄く精密に形成する必要がある。
光で電気の流れを止める新たな現象の発見で、1ピコ秒(ピコは1兆)以内で動く高速光スイッチングデバイスへの応用が期待される。
GaNデバイス素材として、高輝度発光ダイオード(LED)や高周波スイッチングに使うパワー半導体を用途に想定してきた。
このモジュールではSiC半導体の採用によって低損失、高速スイッチングを実現するとともに、ゲート回路などの周辺部品を最適化。
従来、半導体を並列に接続すると、周辺配線の特性の違いでスイッチングのタイミングがずれ、一部の半導体に電流が集中する。... 今回、スイッチングのタイミングを統一できる配線実装技術を応用することで、こう...
相転移が熱伝導率に依存するのではなく、レーザーパルス対の時間間隔のみで制御できる、新しい動作原理の高速スイッチング相変化デバイスが実現できる可能性がある。
電源装置の受注増に対応し、阪神夢工場(兵庫県尼崎市)から基板型スイッチング電源の生産を移管して最新設備を導入。... 基板型スイッチング電源は同社の主要製品の一つ。... 今後、阪神夢...
量産するセンフォーリッジは、フェライトなどの材料開発技術を応用して開発した軟磁性金属材料で、1メガヘルツ以上の高周波スイッチングに対応する。
サーバーなどのプロセッサーへ安定した電源を供給し続けるためのデカップリング用途や、スイッチング電源の平滑用途などに適している。
この光を光電素子で受け所定電圧まで高めて、出力側のスイッチング素子の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を導通する。 一方、容量絶縁方式は入力信号を内...