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九州経産局、基盤技術高度化支援事業に7件を採択（2011/7/7）

▽石橋製作所(福岡県直方市)=風力発電の大型化に対応するための新構造設計と新加工技術を盛り込んだ小型・軽量な増速機の開発▽石川金属工業(北九州市小倉南区)、環境...

京大、酸素イオンの移動300度C以下で制御−人工超格子使い成功（2011/7/1）

今回、パルスレーザー蒸着法という薄膜成長技術を使い、カルシウム鉄酸化物とチタン酸ストロンチウムを約1ナノメートル(ナノは10億分の1)の厚さで交互に積層させ人工超格子をつくった。...

太陽誘電、大容量を実現した積層セラミックコンデンサーを量産（2011/7/1）

ノイズの除去に優れる積層セラミックコンデンサーで、大容量化を進めることで電解コンデンサーからの置き換えを狙う。... 今回、1000層近い積層数を実現することで静電容量をこれまでの100マイクロファラ...

ルネサス、GaN使用CATVアンプ（2011/6/29）

シリコン基板上にGaNを作り込むのが特徴で、炭化ケイ素(SiC)基板上に積層する競合他社に比べ、大口径化が簡単でコスト競争力を高めやすい。

三菱樹脂、トルコに現地法人を設立（2011/6/29）

7月1日から営業を始め、アルミ樹脂積層板「アルポリック」をはじめ同社グループ製品を販売する。

エルピーダメモリ、TSV活用のDRAM （2011/6/28）

エルピーダメモリは27日、半導体に電極を通して重ね合わせるTSV積層技術を活用したDRAMのサンプル出荷を始めたと発表した。

深層断面/スマホに商機!市場開拓に挑む中堅・中小（2011/6/28）

同パネルは強化ガラスの上に保護フィルムや加飾フィルムを積層して貼り合わせる。

日本タングステン、超高輝度LED用放熱基板を開発−放熱性高く安価で生産（2011/6/24）

AlNの約2倍の熱伝導率を持つ銅合金上に、耐熱性などに優れる特殊セラミックス絶縁層と電極を積層した。

エルピーダ、世界最薄のDRAM開発−7―9月に量産出荷（2011/6/23）

4枚のDRAMを積層したパッケージの厚さを従来より0・2ミリメートル薄い0・8ミリメートルにした。

電機各社、スマホ・タブレット急伸受けモバイル部材に重点投資（2011/6/23）

フル生産中の積層セラミックコンデンサーや表面弾性波(SAW)フィルターなどに積極投資。特に主力となる積層セラミックコンデンサーは中国江蘇省無錫市の拠点などを増強し、生産量を10年度に比...

コイワイが中空一体成形技術−アルミ鋳造40%軽量化（2011/6/23）

3次元砂型積層装置(RP装置)を用いて中子の位置精度の出し方や形状設計を最適化することにより薄肉化を実現した。

ティラド、14年めどHV用冷却器を投入−従来搭載機の5倍に（2011/6/22）

ティラドが開発するインバーター用冷却器のコア部分は、薄いアルミニウムのプレートに細かい加工を施し、そのプレートを積層した構造が特徴。

パナソニック、チューブ型の熱電素子開発−給湯配管を電力源化（2011/6/20）

開発したチューブは熱電変換材料と電極を積層しただけの単純な構造で大型化が容易になる。 ... ビスマス・テルル系熱電変換材料とニッケルをカップ状に成型して積層し、チューブにした。

ヨコオ、水晶モジュール用LTCC基板を発売（2011/6/20）

誘電損失の少ない積層セラミックスと低抵抗の銀導体を同時焼成し、高周波特性などを高めた。

東北大・NEC、待機電力ゼロの集積回路（2011/6/15）

標準のシリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)回路上に、磁石の「スピン」を利用したスピントロニクス素子を積んだ積層構造を作り、記憶と演算の機能を回路に一体化した。

太陽誘電、部品内蔵配線板を増産（2011/6/10）

同社は積層セラミックコンデンサーなどの受動部品を生産しており、配線板だけでなく、部品を内蔵したモジュールの提供も行っていく。

荏原、精密・電子が回復基調−非半導体の開拓カギ（2011/6/10）

特に同一パッケージに複数チップを積層する3次元実装分野への投資が見込まれている。

革新の遺伝子・京都企業の挑戦(7)OPMラボラトリー（2011/6/10）

金属光造形複合加工は加工機の昇降テーブルに厚さ50マイクロメートル単位で金属粉末を積層。

課題に挑む(75)材料関連(10)進歩する薄膜技術（2011/6/8）

今後、薄膜技術が一層期待されるのは、図に示すように、Aの物質とBの物質を蒸発、成膜する過程で各種ガスやプラズマとの反応、積層方法などを制御することにより、新たな性質の膜を創出できる可能性があり、一層進...

名古屋工大、高電流・高電圧に対応できる窒化ガリウム半導体を開発（2011/6/8）

シリコン基板と窒化ガリウム膜の間に、窒化アルミと窒化ガリウムを交互に積層したバッファー層を設けて膜厚を厚くした。

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