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記事検索結果
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パナソニックは有機金属気相成長(MOCVD)技術により、直径6インチのシリコン基板上にGaNを結晶成長させ、独自構造のノーマリオフ型のGaNトランジスタを完成。... GaN製はシリコ...
シャープは14日、窒化ガリウム(GaN)を用いたパワー半導体市場に参入すると発表した。定格電圧600ボルトのGaNパワートランジスタを開発。... 開発したGaNパワートランジスタは4...
住友電気工業は仏ソイテック(パリ市)と薄膜窒化ガリウム(GaN)基板の製造・販売でライセンス契約を締結した。住友電工は1枚の自立GaN基板から複数枚の薄膜GaN基板を低...
エア・ウォーターは窒化ガリウム(GaN)半導体向け炭化ケイ素(SiC)下地基板を開発した。... SiCはGaN成膜と相性が良く、下地材料として有力という。... Ga...
【名古屋】名古屋大学プラズマナノ工学研究センターの堀勝教授と石川健治教授らは、窒化ガリウム(GaN)薄膜のエッチング時に発生する欠陥をプラズマで修復する技術を開発した。... エッチン...
【京都】サムコは窒化ガリウム(GaN)を材料とするパワー半導体用ウエハー向け薄膜成長装置に参入する。... GaN系パワー半導体市場の立ち上がりを狙い、2015年7月期に20億円の売り...
富士通セミコンダクターは8日、窒化ガリウム(GaN)製の次世代パワー半導体(写真は試作品)を2013年後半に量産すると発表した。... GaN製の次世代パワー半導体は、...
日本ガイシは名古屋大学大学院工学研究科の天野浩教授らと共同開発した窒化ガリウム(GaN)ウエハーが緑色発光ダイオード(LED)の発光効率を現行の2倍に高められることを確...
安川電機は、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を使った新型パワーコンディショナー(電力変換装置=写真)を開発した。... GaNの価格低下の動向を見据えつつ、2...
Siに代わる材料に炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)がある。... SiCやGaNのパワー素子の開発は順調に進み、現在、耐圧1000ボルト級のものも市販される...
ただ炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いた次世代パワー半導体に交換することにより、電力損失を抑制しつつ、従来品以上に高温動作が可能になる。
【川越】大阪大学大学院工学研究科の藤原康文教授と小泉淳助教は、高純度化学研究所(埼玉県坂戸市、宝地戸道雄社長、049・284・1511)と共同で、室温で高輝度の赤色発光を行う窒化ガリウ...
協和電線(大阪市北区、石橋久和社長、06・6345・0670)は5日、2輪車エンジンのコネクティングロッド用軸受保持器向けに新しいメッキ「KANZACC〜GAN:coat」を開...
日立電線は3日、耐圧性能を3000ボルト以上に高めた窒化ガリウム(GaN)縦型ダイオードを試作したと発表した。... 試作品は、金属を用いて結晶を成長させる手法を用いて、GaNの薄膜結...
電力を制御するパワー半導体は窒化ガリウム(GaN)も含めて省電力効果のある次世代製品の需要が高まってくるだろう」 ―事業化は。
さらに発光ダイオード(LED)素子用の窒化ガリウム(GaN)ウエハーや、スマートフォン(多機能携帯電話)の表面弾性波(SAW)フィルター...
冷却効率の高い独自ウエハー吸着技術により、窒化ガリウム(GaN)薄膜を高速加工できる。 n型コンタクト形成用のGaNメサ加工(薄膜の表面加工法の一つ)...
直径6インチのシリコン基板上にGaNを結晶成長させるため、既存の製造ラインを有効利用できる。... 基板自体をGaNでつくる技術も開発されているが、現時点でコスト高が課題とされる。 ...
【名古屋】日本ガイシは25日、発光ダイオード(LED)素子に使う直径4インチの窒化ガリウム(GaN)ウエハー(写真右)を開発したと発表した。... 液体...
