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記事検索結果
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開発した「ファイン露光システム」は露光装置とプロセス技術、レジスト材料樹脂を組み合わせた。露光装置は線幅やパターン位置を露光ごとに自動補正できる。またプロセス技術は露光時の面内のゆがみを最小化でき、レ...
オランダの半導体製造装置大手であるASMLは台湾TSMCの出資を受け入れる方針だ。... また、今後5年間に2億7600万ユーロ(約268億円)を提供し、極紫外線(EUV...
当時、酸化亜鉛結晶の大きさは3ミリメートル角程度だったが、今回、温度や圧力など結晶の条件や装置形状を最適化することで、1インチ角の結晶を作製する技術を確立。... EUVリソグラフィーに可視光に波長を...
極紫外線(EUV)露光装置など次世代機の研究開発費を提供する。... EUV露光装置の開発を急いできた。 ... 先端露光装置は市場全体で、ニコンのシェアは2割程度と...
キヤノンは26日、電力制御などに用いるパワー半導体向けに、波長365ナノメートル(ナノは10億分の1)の「i線」を採用した露光装置を発売したと発表した。同社のi線露光装置の新製品は14...
2016年以降、今回の露光技術による半導体の実用化を目指す。... 従来、半導体露光技術は露光する光の波長を短くすることで回路パターンの微細化を進めてきたが、その限界が近づいている。... 今回の技術...
装置別では評価装置が同16%増の487億円に伸長。... 半導体露光装置の出荷台数は84台から66台に減るが、単価が高い装置販売は伸びる。1台数十億円の「ArF液浸」と呼ばれる先端露光装置は前...
キヤノンは光源にKrF(フッ化クリプトン)を採用した半導体露光装置「FPA―6300ES6a=写真」を発売した。... 露光する回路を重ね合わせたときのずれやゆがみも低減した。...
エッチング装置や露光装置などの製造装置を導入した。 生産は始まったが、装置の調整などが必要なため出荷は10月ごろを見込む。
紫外線ランプは半導体の露光装置や化学材料、ヘルスケア製品などの製造工程で用いられる。ただランプの性能を測定する装置は従来、紫外線に当たることでセンサーが劣化しやすい問題点があった。
グローバルは「売上高より投資が多い謎の会社」(半導体露光装置メーカー関係者)。... 「このままでは赤字産業の救済装置に成りかねない」(業界関係者)との指摘もある。
ニコンは2013年3月期の先端半導体用露光装置の販売台数で、12年3月期見通しと同程度の21台を目指す。露光装置全体は12年に市場が2―3割縮小する予想。... ArF液浸露光装置は半導体の回路線幅を...
オランダのASMLは18日、次世代半導体の回路微細化の製造技術として注目を集めるEUV(極紫外線)を活用した露光量産機の受注台数が11台になったと発表した。... EUV露光機は従来の...
