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記事検索結果
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ニコンは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の半導体製造プロセスに採用するフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF)液浸露光装置の新機種「S620」の出荷を...
東芝は自社製マイコンコア(中核回路)と液晶駆動用LSI(ドライバー)から撤退する。... 11年にも投入する回路線幅28ナノメートル(ナノは10億分の1)...
ニューモニクス(本社スイス)は回路線幅45ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した1ギガビット相変化メモリー(PCM)を2010年に出荷する...
当初は600億円を計画していたが、このうち200億円を09年度に前倒して回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)のDRAM量産立ち上げに当てる。
今後2番底の恐れはあるが、300ミリラインで回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)品の生産が本格化するほか、新興国で安価なテレビや自動車向け半導体を拡販し「落ち込みをカバーでき...
露光装置は回路線幅を微細化するためのカギ。... ASMLがEUVの適用を見据えるのは回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)以降。
NAND型フラッシュメモリーでは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)台、DRAMでは40ナノメートル台の生産が本格化する。ただ、従来技術の延長線ではフラッシュでは10ナノ台、...
「今年出荷した2回露光(ダブルパターニング)方式のArF液浸露光装置は回路線幅38ナノメートルまでしか対応できない。... 例えばDRAMはNAND回路に比べ露光に高度な技術が求められ...
NECエレは10年1―3月期に直径300ミリメートルウエハーラインで初めて回路線幅90ナノメートル(ナノは10億分の1)の車載マイコンを量産。... NECエレはNECセミコンダクター...
インテルは最先端プロセスである回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)品の量産を開始、これとともにニコンの露光装置の世界シェアは09年上期に6割を超えた。 ... ただし...
半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)の金属ゲート・高誘電率ゲー...
10月にサンプル出荷を開始、2010年前半に広島工場(広島県東広島市)の回路線幅50ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスで量産する。
東芝は21日、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスによるNAND型フラッシュメモリーを採用したパソコン用のソリッド・ステート・ドライブ(SSD)を10...
東芝と米サンディスクは2010年後半から回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)台のNAND型フラッシュメモリーを量産する。... 20ナノ台の製造設備は「32ナノの延長線」&#...
依然として低水準だが、地域別で台湾がプラスに転じるなどマイナス幅は縮小傾向だ。 米インテルが回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の投資に動いているほか、韓国サムス...
この増資が実行されると、自己資本比率は約23%(6月末時点13・8%)に高まる可能性があるほか、DRAM首位の韓国サムスン電子追撃の切り札となる回路線幅40ナノメートル...
TSMCに回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)、同28ナノメートル品を生産委託し、設備投資を年200億円を切る水準に抑制。
ニコンは10年に生産が本格化する回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)の半導体製造用には従来機に比べスループット(1時間当たりのウエハー処理枚数)を最大2倍にし...
