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記事検索結果
755件中、24ページ目 461〜480件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.011秒)
従来のイオスシリーズと同等の1800万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーと画像処理回路を搭載し、きめ細かい高画質な撮影ができる。
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)と東京大学は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)の大幅な省エネルギー化を実現する低電圧トランジスタの動作に成功した。
これらのチップをシリコン貫通銅配線でつなぐことで高速化し、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)チップ並みの1ボルト程度の低電圧で動作する。 ... 従来、平面型ICは素...
「自分撮りをする彼女たちに合わせて、インカメラに約200万画素の高解像度な相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を採用した。
ソニーは電荷結合素子(CCD)で5割以上、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)で約3割のシェアを握る。 ... 従来の約2倍の光を取り込み、暗い場所でも...
独自の透過型ミラーにより撮影時に常に自動焦点(AF)機能が働くため、動く被写体にピントを合わせ続けた連写やフルハイビジョン動画撮影を実現する。APS―Cサイズ(23・5ミリ&#...
キヤノンは、35ミリメートルフルサイズの約2230万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載したデジタル一眼レフカメラ「イオス 5D マークIII=...
毎秒25ギガビット×4個構成の面出射型レーザー、高速受光ダイオード、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)製のLSIを実装し、約1・2平方ミリメートルと指先に乗るほどのサイズの小...
NECは0度―75度Cの温度範囲で使えるシリコン製の集積型光スイッチを世界で初めて開発した。... 標準的な相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使ってシリコン光導波路を作り、ヒ...
新装置に採用したベースバンドの信号処理システムLSIは、90ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセス技術を採用し、5ミリ×...
電力効率が高く、小型化が可能な逐次比較型と呼ばれる変換方式を採用。... 40ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作したAD...
28ナノメートルの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使って2ポートSRAMを試作し、世界最速レベルとなる360ピコ秒(ピコは1兆分の1)の動作速度を確認した。...
60ギガヘルツ帯向け高周波LSIとベースバンドLSIを、安価で集積しやすいシリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を使って作製した。
既存のアンプは高性能な化合物半導体製が主流だが、安価で集積しやすい相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を採用し、性能を化合物製と同等レベルに高めて面積を約半分に小型化した。
