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その後、酸素の一部を窒素に置き換える反応を起こすと、力を加えない粉末では5層おきに原子の欠損した空孔面が絶縁層としてできた。結晶に大きな引っ張りの力をかけて作った薄膜は絶縁層の周期が6層おきになり、圧...

同センサーは3層構造で真ん中にある絶縁層を、上下にある樹脂の導電布が挟み込む構造になっている。絶縁層の素材にはエラストマーを使用している。 改良型ではエラストマーを絶縁層だけではなく...

JX金属苫小牧ケミカル、低濃度PCBを無害化処理 (2020/12/1 素材・医療・ヘルスケア)

電気絶縁性に優れ、主にトランス(変圧器)やコンデンサー(蓄電器)などの絶縁油や感圧複写機などに使用されたが、有害性が社会問題化し、現在は製造や輸入が禁止されている。.....

エア・ウォーター、GaN積層構造開発 低コスト、5G基地局用 (2020/11/27 電機・電子部品・情報・通信)

高周波性能に優れ、従来の半絶縁SiC基板の下地に比べコストを半分以下にできるという。... 同構造を用いたトランジスタは、100度―200度Cの高温でも25度Cの常温と同様の絶縁性能を維持し、発熱ロス...

NTN、東海道新幹線「N700S」に軸受納入 (2020/11/23 機械・ロボット・航空機1)

車軸用複列円すいころ軸受、駆動装置歯車用円筒ころ軸受、主電動機用絶縁深溝玉軸受などで、高い耐久性や信頼性を持つ。

東芝、-30℃に耐える水系電池 高い安全性、ビル内に設置 (2020/11/19 電機・電子部品・情報・通信)

今回開発した電池は固体電解質セパレーター(絶縁材)とリチウム塩の濃度が高い電解液を組み合わせ、正極側から負極側への水素イオン移動を防いで電気分解を抑える構造にした。

ジャパンマテックス(大阪府泉南市、塚本浩晃社長、072・484・8500)は、450度Cの耐熱性と高い絶縁性、密着性などの特性を併せ持つ水溶性塗料「クアトロン」を開発した。... 第5...

開発したモジュールは、薄膜熱電材料からなる「ゼーベック素子」によって構成されるマイクロ熱電発電と、このマイクロ熱電発電部を絶縁体、マイクロ熱電発電部以外を真空によって熱アイソレーション(隔離&...

表面改質展2020 ONLINE/注目の製品・サービス(1) (2020/10/27 機械・ロボット・航空機1)

同社のALDは粉末粒子やシリコンウエハーなどに表面不動態化や電気絶縁性など多様な機能を付与する。

日揮ホールディングス(HD)子会社の日本ファインセラミックス(仙台市泉区、田中宏社長、022・378・7825)は、窒化ケイ素セラミックス製の絶縁放熱基板を量産する新工...

小野測器、音響振動解析システム 240チャンネルを計測 (2020/10/27 電機・電子部品・情報・通信2)

入力チャンネルごとに絶縁し、ノイズの影響を受けにくくした。

二酸化バナジウムは、室温付近で巨大な金属・絶縁体転移を示すことから、次世代デバイス材料として期待されている。

ENEOS、新エポキシモノマー開発 機械物性・低誘電性両立 (2020/10/20 素材・医療・ヘルスケア)

層間絶縁膜やフォトレジスト用途に訴求する。

石化の近未来2020(8)ENEOS常務執行役員・横田宏幸氏 (2020/10/19 素材・医療・ヘルスケア)

「幅広いラインアップをそろえる『水添石油樹脂』と、自動車部材などに使われる合成ゴム材料『ENB』、電線絶縁材は競争力が高い。

電子移動度の高さを利用したデバイスが多く提案され開発が進められているが、グラフェンの高電子移動度を実現するには高品質のグラフェンを原子レベルで構造を制御して加工する必要があり、グラフェンと組み合わせる...

古い機械のIoT支援 コネクシオ、効率化セット4種類 (2020/10/14 電機・電子部品・情報・通信1)

ポンプは振動センサーや電流センサー、絶縁劣化監視センサーによりデータを自動収集して遠隔監視する。

住友電工、圧粉磁心を量産 アキシャルギャップモーター用 (2020/10/1 電機・電子部品・情報・通信2)

磁心と銅巻き線との絶縁性能を確保するため、独自の絶縁塗装処理を施しており、磁心に銅線を直巻きできるため絶縁部品や組み立てのコストを低減できる。

谷口石油、「TANIX」に社名変更 (2020/9/23 西日本)

同社は1946年に創業した石油商社で、主に変圧器用の高圧絶縁油、潤滑油、燃料油などの卸事業を手がけている。

22年3月末に台湾と中国向けに保護膜と絶縁膜を生産する台湾工場を閉鎖、韓国工場の生産量も削減し、佐賀市と中国・常熟市の関連会社に生産移管する。 ... 配向膜や絶縁膜など競争力が高い...

下層から上層に向かってゲート電極や絶縁膜を積み重ね、その後に一括して穴を開け、その中にトランジスタを埋め込む3次元型NANDフラッシュメモリーの製造技術を用いる。

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