- トップ
- 検索結果
記事検索結果
58件中、2ページ目 21〜40件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.002秒)
インダクタンス(磁束変化に対する抵抗)の影響を抑え、SiCMOSFETの高速スイッチング性能を最大限に引き出した。
従来のシート薄層技術の高度化と、外部電極を長手方向に配置することで、薄さと低等価直列インダクタンス(ESL)の両立を実現した。
外形寸法が縦2・5ミリ×横2・0ミリ×高さ1・2ミリメートルの「TFM252012ALVA」シリーズのうち、インダクタンス(磁束変化に対する抵抗)が高いタイプ...
私たち研究グループは、零点ゆらぎ電流や相互インダクタンスの非常に大きな超伝導回路を使って、人工原子とマイクロ波共振器を極めて強く結合させた。
3端子MLCCは2端子MLCCに比べ等価直列インダクタンス(ESL、磁束変化に対する抵抗)が小さく、少ない部品でも高周波帯域のインピーダンスを低減できる。
インダクタンス(磁束変化に対する抵抗)は0・3ナノ―2・7ナノヘンリー(ナノは10億分の1)までの25種類あり、年内に10ナノヘンリーまで拡充する。
太陽誘電は24日、磁束変化に対する抵抗(インダクタンス)を高めた高周波チップインダクター(コイル、写真)の新製品3品目の量産を始めたと発表した。インダクタンスが47ナノ...
NECトーキン(宮城県白石市、小山茂典社長、022・308・0014)は、特性を示す電磁誘導の大きさ(インダクタンス値)が従来品比で最大75%向上したラインフィ...
村田製作所は誘導係数(インダクタンス値)を高めた超小型フィルムタイプ高周波チップインダクター(写真)の量産を始めた。... 世界最大のインダクタンス値を達成した。...
具体的には、回転子に取り付けられた永久磁石の影響によって、巻き線のインダクタンス(電流と磁束の比例係数)がわずかに変化することを利用して、回転子の位置検出を実現した。 ...
具体的には大きな電流から素子を保護する技術や、インダクタンスの低減により高速スイッチングを実現する技術を採用した。
試験回路を従来の2端子から4端子に見直し、低インダクタンス(誘導係数)のコイルでも絶縁試験に必要な高電圧をかけられる。... 4端子の試験回路の採用により、0・1マイクロヘンリー...
「0402サイズ(0・4ミリ×0・2ミリメートル)」と呼ばれる超小型分野では、TDKが業界最高のインダクタンス(電磁誘導)値を実現した高周波コイルを開発したほ...
TDKは30日、インダクタンス値を倍以上に高めた高周波インダクター(写真、一目盛りは1ミリメートル)を開発したと発表した。... インダクタンス値をこれまでの最大15ナノヘンリーから3...
村田製作所は誘導係数(インダクタンス値)を高めた超小型フィルムタイプ高周波チップインダクターを完成したと7日発表した。... 微細加工技術の活用と内部構造の見直しで、従来同等の効率を確...
