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記事検索結果
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四日市工場内のTMCとWDの技術者、計2000人を結集して最先端メモリーを開発する。東芝本体に残る次世代メモリーの開発部隊の一部も集約する考えで、2年以内をめどに技術者を500人増員する方針だ。...
米ウエスタンデジタルは21日、都内で会見を開き、次世代メモリー技術について東芝メモリと協議していることを明らかにした。両社はNAND型フラッシュメモリーの開発や生産で協業している。
ソフトウエア関連や、次世代メモリー技術といった分野を視野に入れる。... フラッシュメモリー市場は今後もデータセンター需要などを中心に、年平均40%で成長すると予測。
新技術として、コスト効率が高い高速の次世代メモリー「ストレージ・クラス・メモリー(SCM)」と、ストレージを接続するための新規格である「NVMe」に対応した。
アドバンテストは、次世代の半導体メモリー向け検査装置「T5503HS2=写真」を発売した。... データ転送速度が従来の半導体メモリーの2倍とされる次世代の半導体メモリー「DDR5」「LPDD...
東芝の半導体メモリー子会社、東芝メモリ(TMC、東京都港区)と米ウエスタンデジタルが、NAND型フラッシュメモリー市場の覇権を奪うべく、再び手を取り合い動きだした。... 最先端メモリ...
「東北大学の国際集積エレクトロニクス研究開発センターとは、次世代メモリーとして注目されている『MRAM』の製造装置技術の確立を目指している。
120―130層の次世代3D構造NANDについても、SDと開発を進める」と、WDとSKの連携範囲をすみ分ける考えだ。 ... SKとはすでに連携している次世代メモリーのMRAMや、次...
【浜松】静岡大学電子工学研究所の坂元尚紀准教授は、スロベニアやスイスの研究グループと共同で、次世代メモリーへの応用が期待される強誘電体材料の鉄酸ビスマスの特殊なイオン状態について、原子スケールで解明す...
パナソニックは1日、台湾・聯華電子(UMC)と次世代抵抗変化型メモリー(ReRAM)量産プロセスの共同開発で合意したと発表した。... ICカードやウエアラブル端末、I...
理化学研究所創発物性科学研究センター強相関物性研究グループの岡村嘉大研修生、十倉好紀グループディレクターらの研究チームは、次世代メモリーデバイスの情報担体の有力候補である「磁気スキルミオン」を、電場に...
東北大学の手束展規准教授は、次世代メモリーの磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM、用語参照)で、記録性能を高める技術を開発した。... MRAMはDRAMに変わる不揮発性メモリーとし...
大手半導体メーカーが次世代メモリーに採用したことを追い風に、鹿沼事業所(栃木県鹿沼市)の生産能力を2016年度に直径300ミリメートル(12インチ)ウエハー換算で年間3...
【電機業界が抱える懸案】東芝の最先端プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリー 東芝の半導体メモリーの技術流出問題は、国内電機メーカーが抱える課題を改めて浮き彫りにした。... 一...
一方でアジアを中心に新規出展者は増えており、主催者SEMIのデニー・マクガークプレジデント兼最高経営責任者(CEO)は「日本には次世代装置や材料の主要プレーヤーがおり、世界で重要なポジ...
東芝は17日、次世代半導体メモリーとして期待されるMRAM(磁気記録式メモリー)を2014年からサンプル出荷することを明らかにした。... MRAMやReRAMなどの次世代不揮発性メモ...
次世代メモリーとして期待される磁気抵抗メモリー(MRAM)の製造装置開発につなげる。... 低消費電力で高速書き込み処理が可能な次世代メモリーの量産に貢献する。
