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記事検索結果
41件中、2ページ目 21〜40件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
これまでエレクトロニクスは、電荷の性質を利用する半導体素子と、スピンを利用するハードディスクなどの磁気記録素子を両輪に発展した。... スピントロニクスの応用の一つが、磁気抵抗メモリー(MRA...
東北大学の手束展規准教授は、次世代メモリーの磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM、用語参照)で、記録性能を高める技術を開発した。情報の記録に必要な磁気トンネル接合(MTJ&#...
薄い金属磁石層(記録層)を持つ磁気トンネル接合素子(MTJ素子)にナノ秒程度(ナノは10億分の1)の短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転を誘起できる。...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、スピン(磁気的性質)注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)のメモリーのデータを蓄える磁気トンネル接合&#...
今回の新技術をもとに、回路線幅90ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)回路と三端子磁気トンネル接合(MTJ)素子を組み...
スピンの向きによって抵抗値が変わる「磁気抵抗膜」に磁気トンネル接合膜を使い、外部から磁界を加えてスピンの向きを膜面に垂直な方向に傾けることで振動安定性を高めた。... 磁気トンネル接合膜や素子の構造を...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、磁気トンネル接合(MTJ)素子を用いた高密度集積回路(LSI)配線の電流センシングの動作を実証した。... ...
厚さがナノメートル寸法の2枚の磁石(鉄ボロン合金、コバルト鉄ボロン合金)と酸化マグネシウム層からなる磁気トンネル接合素子を使った。
東北大学はNECの試作協力で、スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合(MTJ)素子と、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術を組み合わせた論理混載用1メガ不揮発性メモリー...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...
富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM&#...
(編集委員・天野伸一) 東北大学の電気通信研究所の大野英男教授と、同大未来科学技術共同研究センターの小柳光正教授らのグループは半導体技術と磁気技術を融合した「スピント...
MRAMのメモリー部である磁気トンネル接合(MTJ)素子のトンネル絶縁膜(酸化マグネシウム)層を、従来の一括作製法ではなく分割して作製する、新しい成膜プロセスを考案した...
富士通研究所とトロント大学は、次世代不揮発性メモリーとして期待されるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)で課題だった、誤って書き込みが発生しない読み出し方式を世界で初めて開発し...
【理工科系】▽小沢登高東大大学院数理科学研究科准教授(離散群と作用素環の研究)▽菊地和也大阪大学大学院工学研究科教授(生体内分子を可視化する化学プローブのデザイン・合成・生物応...
磁気トンネル接合素子の絶縁膜に使う酸化マグネシウム膜を、カーボンナノチューブ(CNT)を用いた原子間力顕微鏡で初めて評価した。 ... 従来の磁気トンネル接合素子全体(...
電子スピンを利用して電流を発生させる「スピン起電力」の実証に、東北大学金属材料研究所の前川禎道教授、東京大学大学院工学系研究科の田中雅明教授らのグループが磁気トンネルデバイスを使った実験で成功した。....
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、次世代の「スピン注入磁化反転」方式を使った不揮発性磁気メモリー(MRAM)実現に向けた新技術を開...
NECは世界最速の500メガヘルツ(メガは100万)で動作する次世代の「不揮発性磁気メモリー(MRAM=用語参照)」を開発した。... 開発したMRAMは、セル...
