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【福岡】東洋ステンレス研磨工業(福岡県太宰府市、門谷誠社長、092・928・3733)は、1000ミリメートル角のシリコン炭窒化膜を形成できる装置を開発する。... すでに300ミリメ...

開発手法は、基板に形成した約0・6ナノメートルのシリコン酸窒化膜に、低誘電率の膜厚0・55ナノメートルのハフニウム酸化物を堆積(たいせき)し、950度Cの高温で熱処理を行う工程を繰り返...

セリート、バリアー絶縁膜に酸素含まない新材料開発（2008/9/22）

バリアー絶縁膜材料は現在、誘電率約5・5のシリコン炭窒化膜が主流。だが、微細化が進む将来に向け、同4・0以下と低誘電率のシリコン炭酸化膜の導入が検討されていたが、薄膜化に不向きなど課題があった。...

酸化膜や窒化膜、ポリシリコンなどの半導体膜を加工する。予備室を備えることで加工の効率化を図りながら自然酸化膜の生成を抑制。... 多様な膜種の処理を可能にするとともに利便性を高めた。

2010―2011年の実用化を目指す。 ... 従来は熱処理で金属表面に窒化膜を作り、表面の耐摩耗性を高めていた。

NEC、3種のトランジスタを同一材料で形成する新製法を開発（2008/6/17）

開発技術は、LSI内の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を構成するn型、p型のトランジスタとメモリー用トランジスタのゲート電極に共通の新金属材料を使う。絶縁膜は従来材料のシリ...

NECエレ、40ナノCMOSプロセス改良−素子のバラつき低減（2008/6/20）

NECエレクトロニクスは先端LSIの40ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセス向けに、トランジスタ特性のバラつきを低減する技術を開...

絶縁膜そのものを測定できれば、膜質を細かく制御でき、次世代LSI開発の効率化につながる。尾嶋教授らは、高エネルギー加速器研究機構(KEK)放射光研究施設の放射光(X線...