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26年にはガソリン車と同等の価格に ほかにもe-POWERは、モーター用磁石のレアアースの削減や、インバーターの電力損失を大幅に減らす炭化ケイ素...

トレックス、高耐圧の小型DC変換器発売 低消費電力も実現 (2024/2/26 電機・電子部品・情報・通信)

電源ICの高耐圧性能向上と小型化・低消費電力のニーズの増加に対応した。高耐圧と低電力消費を両立し、待機時の低消費電力化や実装面積削減など産業機器の高効率化・小型化に役立つ。 ... ...

三菱電機、パワー半導体にSiC採用 xEV向けサンプル出荷 (2024/2/22 電機・電子部品・情報・通信2)

自動車の高機能化が進む中、電力を効率的に制御するパワー半導体は不可欠な製品となっている。三菱電機では得意とするxEV用モジュールに、電力損失軽減に優れた炭化ケイ素(SiC)を新たに採用...

そのためのアプローチの一つとして、電力損失の低減が考えられる。日々の生活では、発電所で発電された電力を変換して利用しており、その際には必ず電力損失が発生してしまう。... 電力損失を低減する方法の一つ...

あとは(大型車向けなどに)SiCの需要がどこまで増えていくかだ」 ―同じく次世代パワー半導体として有望な、高耐圧や電力損失の少ない酸化ガリウムの研究開発をするノベルク...

三菱電、パワー半導体モジュールを60%小型化 サンプル提供へ (2024/1/24 電機・電子部品・情報・通信1)

シリコンより電力損失の低い炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載した製品も用意した。

GaN半導体は電力損失が低く、スイッチング性能も高いため、搭載するデバイスの高効率化・小型化が期待できる。

GaN基板はシリコン系基板と比べて高速動作が可能で、抵抗が小さく電力損失が少ない点などが特徴だ。

つなぐ/パワー半導体、次世代素材続々 性能・コストしのぎ削る (2024/1/4 素材・建設・環境・エネルギー)

(大川諒介) レゾナック、SiCエピウエハー量産 パワー半導体は電源から送られた電気を制御する役割を担い、電圧・周波数の変更や電...

競合と比べ冷却性能を1・4倍に高めるほか、炭化ケイ素(SiC)半導体の内製化技術で電力損失を20%低減するなど技術力で差別化する。

SiCパワー半導体は従来のシリコン(Si)を用いた半導体より、電力損失が低く、高温や高速スイッチング動作が可能なため、脱炭素に向けて電気自動車(EV)などの分野で需要が...

透明アンテナと金属フレームの隙間に発生する電界を放射源とし、放射源の直下に液晶がないため、損失電流を低減するなどの工夫をした。その結果、入力電力に対する放射電力の割合は従来の2・3倍に向上し、安定的な...

三相の電力損失測定可能 ローデ・シュワルツ・ジャパン(東京都新宿区、ジャック・ジョルダ社長)は、アナログ信号の入力部が同社初となる8チャンネルのオシロスコープを1日に...

新電元工業、理想ダイオード小型化 車載ECU向け年内量産 (2023/10/13 電機・電子部品・情報・通信)

理想ダイオードICは、一方向のみに電流を流すダイオードの特性を、電力損失や温度上昇がダイオードより低い状態で再現できる部品。... 先進運転支援システム(ADAS)や自動運転技術の広が...

SiCパワー半導体の信頼性を向上するほか、電力損失も30%以上削減できる。... 界面準位はSiCパワー半導体の電力損失の原因となるため、これにより電力損失の削減が見込める。 ...

AlNは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも電力損失が小さく、耐圧が高い可能性を有するという。

同グループ傘下でEV関連事業を担うアネボルブと電力変換機器の開発を手がけるヘッドスプリングは、インド市場向けの車載パワーエレクトロニクス製品の設計・開発を目指して4月に合弁会社「アネボルブ・ヘッドスプ...

酸化ガリウムはさらに高耐電圧で低電力損失の高性能なパワー半導体を実現するための次世代ウエハーとして応用が期待されている。

ローム/GaN半導体と駆動用ICを一つのパッケージに (2023/7/31 新製品フラッシュ2)

既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。

ローム、GaNパワー半導体と駆動用ICを同梱したSiP2種開発 (2023/7/20 電機・電子部品・情報・通信1)

体積99%・電力損失55%減 【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)パワー半導体と駆動用ICを一つのパッケージに同梱したシステム・イン・パッケージ&#...

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