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蘭ASML、次世代半導体露光「高屈折率液浸」の開発断念（2008/10/20）

ニコン、キヤノンなど国内勢も積極的な開発をやめており、露光装置メーカー全社が高屈折率液浸を断念したことになる。 ... 30ナノメートル世代では露光光源の明るさを表すNA(開口数...

この20ナノメートル世代では露光光源に極端紫外線(EUV)を用いる研究開発が進められている。 EUV露光では露光光源を従来のレーザー光から波長13・5ナノメートルのEUVに置き...

「回路をウエハーに焼き付ける露光装置の開発動向がカギを握りそう。32ナノメートルプロセスは今まで通り投影レンズとウエハーの間に純水を満たして解像度を上げるフッ化アルゴン(ArF)液浸露...

半導体各社、20ナノ台の実用化に懸念−露光工程で課題（2008/6/17）

露光光源が光から極端紫外線(EUV)に変わるため開発費や設備導入費がかさみ採算に乗らないと見ている。... 20ナノメートル世代では、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレ...

「回路をウエハーに焼き付ける露光が難しい。極端紫外線(EUV)を露光光源に用いる研究開発が進んでいるが、量産技術の確立までに時間がかかると思う。また、技術確立してもEUV露光装置の導入...

装置が支える半導体・液晶(4)32ナノ、解像度向上が課題（2008/6/2）

解像度を向上するには、レンズの明るさを表す開口数(NA)を上げる、露光光源の短波長化―などいくつかの手段がある。 ... その先、2010年の実用化が見込まれる32ナノメートル...

装置が支える半導体・液晶(3)先端向けArF液浸伸びる（2008/5/19）

一口に露光装置と言っても、回路をウエハーに焼き付ける際の露光光源ごとに装置性能と価格が異なる。露光光源は半導体回路の微細化が進むに連れて、波長436ナノメートルの可視光線「g線」から365ナノメートル...

32ナノメートルでは、露光の光源波長が回路線幅より太くなり、微細回路を形成できない。... また、露光光源にEUVを採用する研究開発も進んでいる。... 露光光源が安定して50―100ワットを実現でき...