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記事検索結果
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外付けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とICパッケージを組み合わせ、小型の理想ダイオードとして使う。... 5月にはMOSFETを内蔵したタイプの販売を始めており...
既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。
既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。... ...
そのおかげで産業界がSiCの半導体ダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を大量に製造できた。
ただ、ロームが10年に世界初のSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産に成功していることや、SiCウエハーでは旧・新日本製鉄(現・日本製鉄)が多...
三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...
ロームの1200ボルトクラスのSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と、650ボルトクラスのSiCショットキーバリアダイオード(SBD)が、ハイコの...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)といったディスクリート(個別)半導体やコネクター、コンデンサーなどを用意する。
ショットキーバリアダイオード(SBD)と金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の650ボルトクラスと1200ボルトクラスの製品。
東芝デバイス&ストレージは低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)や小信号デバイスなど、一つの素子に端子などを付けて樹脂でパッケージするディスクリート半導体...
25年度後半に量産を始める「TED―MOS」は、日立の独自構造を持つ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。
セミクロンが開発したEVの主機インバーター向けパワーモジュール「eMPack」に、ロームの第4世代SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が採用された。 &#...
SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、松本工場の既存の6インチウエハー用ラインで量産に乗り出す。
23年度に量産するデバイスはGaN電界効果トランジスタ(FET)とSi金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を組み合わせたスイッチング電源デバイス。
独インフィニオン・テクノロジーズは、1200ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「Cool...
SiC半導体は約800度Cまで正常に動作するが、ICで一般的な金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)では酸化膜とSiCの接合界面に多くの欠陥が存在するという特性から高温下...
600ボルト耐圧スーパージャンクション構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」に、業界最速の逆回復時間(trr)とオン抵抗の低減を両立...
ロームは8インチ炭化ケイ素(SiC)ウエハーで金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発する。
シリコン系ではスプリットゲートという特性の高いMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)や、FS―IGBT(フィールドストップ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...
自動車業界など向けでニーズが高まる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などのパワーデバイス検査に適するロジ...
