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記事検索結果
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回路線幅150ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用、直径150ミリメートル(6インチ)から同200ミリメートル(8インチ)のウエハーラインに...
「2011年にも登場する回路線幅32ナノメートル世代にはEUV露光が欠かせない」とにらむ。 ... 開発品は「線幅のバラツキが小さいなど他社品にない特徴を持つ」という先端技術だけに、実用化に向...
「半導体の回路の微細化は、量産を立ち上げた時にライン稼働率を上げられるかがポイント」と力説するのは、ルネサステクノロジ取締役の中屋雅夫さん。 ... 「回路線幅は32ナノメートル(ナノ...
企業との共同研究に用いるほか、同研究所が次世代半導体の回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスをターゲットに研究を進める高感度レジストの開発に、弾みをつける。 ....
チップ上の回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)台の次世代半導体向けで、1回の露光で回路を形成する単一露光に用いる。
LCDドライバーは直径200ミリメートル(8インチ)や150ミリメートル(6インチ)ウエハーラインで製造、また、回路線幅には150ナノメートルプロセスを適用している。....
被災した岩手工場は、回路線幅180ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用したASIC(特定用途向けIC)や特定用途向け標準IC(ASSP)、マ...
半導体回路は微細化が進み、2012年には回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)台の次世代プロセスが実用化される見通し。... 東芝は携帯機器の記憶素子としてNAND型フラッシュ...
ニューモニクスはエルピーダの回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技術を適用した300ミリメートルウエハーラインを活用。
回路線幅90ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用したシステムLSIなどが対象。... ローム浜松は直径300ミリメートルウエハーラインを敷設しており、同ラインに回路線幅90...
東芝は2010年の稼働を計画するNAND型フラッシュメモリーの二つの新工場棟に、回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)台の次世代プロセスを適用する。... 回路線幅30ナノメー...
NECエレクトロニクスは30日、回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)の先端プロセスを採用したASIC(特定用途向けIC)「CB―40」の受注を始めたと発表した...
2010年の実用化が見込まれるチップ上の回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した次世代半導体は、露光工程に露光を2回実施して微細な回路パターンを描く「ダブルパタ...
セットメーカーの仕様・回路図に沿って、半導体の回路を作り変えていく。... 10ミリメートル角のチップ上に回路線幅350ナノ―250ナノメートル(ナノは10億分の1)程度のプロセスを採...
―回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した次世代半導体について研究開発の取り組みをうかがいます。 ... 「回路をウエハーに焼き付ける露光装置の開発動向...
【福岡】福岡県は東アジア地域で先端システム高密度集積回路(LSI)の設計開発拠点形成を目指す「シリコンシーベルト福岡プロジェクト」を加速する。最新鋭の電子回路の設計自動化(ED...
日本の半導体メーカーは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の次世代半導体への取り組みを修正する。... 半導体の回路は「約2年でトランジスタの集積度は倍になる」との「ムー...
